特許
J-GLOBAL ID：200903039775758197
窒化ガリウムインジウムの分離封じ込めヘテロ構造発光デバイス
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
中村 稔 (外8名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-321683
公開番号（公開出願番号）：特開2003-152219
出願日： 2002年11月05日
公開日（公表日）： 2003年05月23日
要約：
【要約】【課題】 基板と、基板の上にある第1導電型層と、第1導電型層の上にあるスペーサ層と、スペーサ層の上にある活性領域と、活性領域の上にあるキャップ層と、キャップ層の上にある第2導電型層とを含むIII族窒化物発光デバイスが開示される。【解決手段】 活性領域は、量子井戸層と、インジウムを含有する障壁層とを含む。障壁層には、第1導電型のドープ剤をドープすることができ、該障壁層は、1%から15%までの間のインジウム組成を有することができる。幾つかの実施形態において、発光デバイスは、第1導電型層と活性領域との間に形成されるInGaN下部封じ込め層を含む。幾つかの実施形態において、発光デバイスは、第2導電型層と活性領域との間に形成されるInGaN上部封じ込め層を含む。幾つかの実施形態において、発光デバイスは、上部封じ込め層と活性領域との間に形成されるInGaNキャップ層を含む。
請求項（抜粋）：
基板と、前記基板の上にある第1導電型層と、0≦x≦0.15としてInxGa1-xNを含み、前記第1導電型層の上にある下部封じ込め層と、前記第1導電型層の上にあるスペーサ層と、量子井戸層とインジウムを含む障壁層とを含む、前記スペーサ層の上にある活性領域と、前記活性領域の上にあるキャップ層と、0≦x≦0.15としてInxGa1-xNを含み、前記キャップ層の上にある上部封じ込め層と、前記キャップ層の上にある第2導電型層と、を備え、前記スペーサ層と前記キャップ層のうちの一つがインジウムを含む、ことを特徴とする発光デバイス。
Fターム (10件)：
5F041AA03
, 5F041AA40
, 5F041CA04
, 5F041CA05
, 5F041CA34
, 5F041CA40
, 5F041CA57
, 5F041CA60
, 5F041CA65
, 5F041CB36
