電界効果トランジスタを用いる分子間相互作用の検知

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (4件)：吉武賢次 , 永井浩之 , 岡田淳平 , 勝沼宏仁
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-526699
公開番号（公開出願番号）：特表2007-506085
出願日： 2004年09月17日
公開日（公表日）： 2007年03月15日
要約：

【解決手段】コア構造と、拡張ゲート構造とを有する電界効果トランジスタ(FET)を備えた分子間相互作用を検知するために用いられるセンサー(1)は、コア構造(5-10)及び拡張ゲート構造(2)を含んでいる。このコア構造(5-10)及び拡張ゲート構造(2)は、基板の実質的に分離された領域に配置され、拡張ゲート構造はプローブ分子を固定することができる露出金属センサー電極(11)を含んでいる。センサーは、使用時に、金属センサー電極の露出表面で分子が相互作用することに反応して、FETの電気特性が変化するよう作動する。センサーは、露出ゲート金属上の固定された適切なプローブ分子を有する場合には、DNA結合のような生体分子相互作用を検知するのに、特に適している。

請求項（抜粋）：

コア構造と、拡張ゲート構造とを有する電界効果トランジスタ(FET)を備えた分子間相互作用を検知するために用いられるセンサーであって、コア構造及び拡張ゲート構造は基板の実質的に分離された領域に配置され、拡張ゲート構造はプローブ分子を固定することができる露出金属センサー電極を含んでおり、使用時に、金属センサー電極の露出表面で分子が相互作用することに反応して、FETの電気特性が変化するよう作動することを特徴とするセンサー。

IPC (2件)：

G01N 27/414 , G01N 27/30

FI (4件)：

G01N27/30 301U , G01N27/30 301N , G01N27/30 301K , G01N27/30 B

Fターム (7件)：

4B024AA11 , 4B024AA19 , 4B024CA01 , 4B024CA09 , 4B024CA11 , 4B024CA20 , 4B024HA12

引用特許：

審査官引用 (8件)

センサ・セル
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-389680 出願人：セイコーエプソン株式会社
トランジスタを基礎とした装置および分子検出および電界増強のための方法
公報種別：公表公報出願番号：特願平10-510788 出願人：モトローラ・インコーポレーテッド
特開昭62-288560

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