特許
J-GLOBAL ID：200903032377876800
発光素子及びその製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
芝野 正雅
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-143487
公開番号（公開出願番号）：特開2000-332295
出願日： 1999年05月24日
公開日（公表日）： 2000年11月30日
要約：
【要約】【課題】 発光層からIn、N等の構成原子の脱離を抑え、しきい値電流が大きくなることを防止した発光素子を提供する。【解決手段】 第1クラッド層6上にInとNを含有する活性層7Bを有する発光層7が形成され、該発光層7上に第2クラッド層8が形成されている半導体レーザにおいて、発光層7は、活性層7B上にBを含有するキャップ層7Cを備えることを特徴とする。
請求項（抜粋）：
第1クラッド層上にInとNを含有する活性層を有する発光層が形成され、該発光層上に第2クラッド層が形成されている発光素子において、前記発光層は、前記活性層上にBを含有するキャップ層を備えることを特徴とする発光素子。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 33/00 C
, H01S 3/18 677
5F041AA03
, 5F041CA05
, 5F041CA14
, 5F041CA34
, 5F041CA40
, 5F073AA42
, 5F073AA74
, 5F073AA76
, 5F073AA77
, 5F073CA07
, 5F073CA17
, 5F073CB07
, 5F073CB10
