特許
J-GLOBAL ID：200903068710270758
窒化物系III-V族化合物半導体の成長方法および半導体発光素子
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
杉浦 正知
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-228876
公開番号（公開出願番号）：特開2000-058980
出願日： 1998年08月13日
公開日（公表日）： 2000年02月25日
要約：
【要約】 (修正有)【課題】 Inを含む窒化物系III-V族化合物半導体を成長させる際に、Inの脱離を抑制することで結晶性を向上させ長寿命化、波長揺らぎの安定化を図ることができる半導体発光素子を提供する。【解決手段】 Bx Aly Ga1-x-y-z Inz Nを活性層7とし、その下地層に当たる第1の光導波層をn型Bu Alv Ga1-u-v N光導波層6とする。活性層7は、GaInNの成長に用いられる第1の原料(TMG、TMI、NH3 )に、Bを含む第2の原料(TEB)および/またはAlを含む第3の原料(TMA)を混入して成長を行うことにより形成し、光導波層6は、GaNの成長時に、GaNの成長に用いられる第4の原料(TMG、NH3 )に、Bを含む第5の原料(TEB)および/またはAlを含む第6の原料(TMA)を混入して成長を行うことによりSCH構造のGaN系半導体レーザを形成する。
請求項（抜粋）：
Inを含みかつBおよびAlを含まない窒化物系III-V族化合物半導体の成長時に、上記Inを含みかつBおよびAlを含まない窒化物系III-V族化合物半導体の成長に用いられる第1の原料に、Bを含む第2の原料および/またはAlを含む第3の原料を混入して成長を行うようにしたことを特徴とする窒化物系III-V族化合物半導体の成長方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (13件)：
5F041AA04
, 5F041AA44
, 5F041CA04
, 5F041CA34
, 5F041CA40
, 5F041CA46
, 5F073AA45
, 5F073CA20
, 5F073CB05
, 5F073DA05
, 5F073EA02
, 5F073EA07
, 5F073EA28
