特許
J-GLOBAL ID：200903032377972915

半導体装置

発明者：
野谷 佳弘

野谷 佳弘 について


出願人/特許権者：
三菱電機株式会社

三菱電機株式会社 について


代理人 (1件)： 青山 葆 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-001082
公開番号（公開出願番号）：特開平11-195732
出願日： 1998年01月06日
公開日（公表日）： 1999年07月21日
要約：
【要約】【課題】 インピーダンス不整合による反射損失の増大することを防止し、寄生発振を防止する。【解決手段】 高周波半導体チップ1は一方の面の高周波伝送線路L7a,L7bと他方の面の接地導体5を備え、半導体パッケージ8は一方の面の接地導体9と他方の面の高周波伝送線路L13a,L13bを備える。半導体装置は高周波半導体チップ1を半導体パッケージ8上に搭載してなり、スロット4a,10a及び4b,10bはそれぞれ互いに対向しかつ高周波伝送線路L7a,L13a及びL7b,L13bに対向するように接地導体5,9に形成され、高周波伝送線路L7aとL13aとの間で及び高周波伝送線路L7bとL13bとの間で電磁的に結合する。また、スロット4a,4bの周辺部に位置する接地導体5上にNi導体15a,15bを形成し又はスロット10a,10bの周辺部に位置する接地導体9上にNi導体16a,16bを形成する。
請求項（抜粋）：
第1と第2の面を有し、上記第1の面上に形成された第1の高周波入出力用伝送線路と、上記第2の面上に形成された第1の接地導体とを備えた高周波半導体チップと、第3と第4の面を有し、上記第3の面に形成された第2の接地導体と、上記第4の面に形成された第2の高周波入出力用伝送線路とを備えた半導体パッケージとを備え、上記第2の面が上記第3の面に対面するように上記高周波半導体チップを上記半導体パッケージ上に搭載してなる半導体装置であって、互いに対向しかつ上記第1と第2の高周波入出力用伝送線路に対向するように上記第1と第2の接地導体にそれぞれ形成され、上記第1の高周波入出力用伝送線路と上記第2の高周波入出力用伝送線路とを電磁的に結合するための第1と第2のスロットを備えたことを特徴とする半導体装置。
IPC (6件)：
H01L 23/12 301 ,  H01L 29/812 ,  H01L 21/338 ,  H01P 3/08 ,  H01P 5/02 603 ,  H01P 5/08
FI (5件)：
H01L 23/12 301 L ,  H01P 3/08 ,  H01P 5/02 603 ,  H01P 5/08 L ,  H01L 29/80 R
引用特許：
審査官引用 (3件)

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