特許
J-GLOBAL ID:200903032400143980

プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 梶 良之 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2001-196861
公開番号(公開出願番号):特開2003-017413
出願日: 2001年06月28日
公開日(公表日): 2003年01月17日
要約:
【要約】【課題】 種々のサイズを有する基板の表面を均一にプラズマ処理することを可能ならしめるプラズマ処理装置を提供する。【解決手段】 ライン状プラズマ発生器2の基板11の搬送元側に、搬送台4上の誘導サセプタ3に載置されて搬送されてきた基板11を検出する位置検出器8を設け、この位置検出器8により基板11が検出されて時点からの経過時間と、基板11の搬送速度と、予め入力されている基板11の形状とから、ライン状プラズマが発生している位置に対応する基板11の幅を求め、求めた基板11の幅に応じて、高周波電源5からライン状電極21に供給する電力を加減制御する高周波電源制御器10を設ける。
請求項(抜粋):
予め設定された大気圧、または大気圧よりも若干低圧の弱減圧ガス雰囲気下において、ライン状プラズマ発生器と被処理物とのうちの何れか一方を他方に対して相対的に移動させながら、高周波電源から前記ライン状プラズマ発生器の上部電極に高周波電力を供給することによりライン状プラズマを発生させて被処理物の表面をプラズマ処理するプラズマ処理装置であって、前記ライン状プラズマが発生している位置に対応する被処理物の幅に応じて、前記高周波電源から上部電極に供給する電力を加減制御する高周波電源制御器を設けたことを特徴とするプラズマ処理装置。
IPC (6件):
H01L 21/205 ,  B01J 19/08 ,  C23C 16/505 ,  H01L 21/3065 ,  H05H 1/26 ,  H05H 1/46
FI (6件):
H01L 21/205 ,  B01J 19/08 H ,  C23C 16/505 ,  H05H 1/26 ,  H05H 1/46 A ,  H01L 21/302 B
Fターム (36件):
4G075AA24 ,  4G075AA30 ,  4G075AA61 ,  4G075AA65 ,  4G075BC01 ,  4G075BC06 ,  4G075BC10 ,  4G075CA25 ,  4G075DA02 ,  4G075DA04 ,  4G075EB01 ,  4G075EB42 ,  4G075EC21 ,  4G075ED13 ,  4K030FA01 ,  4K030GA14 ,  4K030KA15 ,  4K030KA30 ,  4K030KA39 ,  4K030LA15 ,  4K030LA18 ,  5F004AA01 ,  5F004BA20 ,  5F004BD04 ,  5F004CA02 ,  5F004CA03 ,  5F004CA05 ,  5F045AA08 ,  5F045AE29 ,  5F045DP03 ,  5F045EB02 ,  5F045EF02 ,  5F045EH05 ,  5F045EH12 ,  5F045EH19 ,  5F045EM10
引用特許:
出願人引用 (1件)

前のページに戻る