プラズマ加工装置、製造工程およびそのデバイス

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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-309808
公開番号（公開出願番号）：特開2001-093871
出願日： 1999年09月24日
公開日（公表日）： 2001年04月06日
要約：

【要約】【課題】現在の半導体プロセスはその半数以上が減圧装置であり、また洗浄・露光装置等は大気圧でしかプロセスを行えない。大気圧で動作する装置と減圧下で動作する装置とのインターフェイスを柔軟に構成することは不可能であり、これがボトルネックとなり効率的なプロセスに限界がある。【解決手段】マイクロ波を用いて高密度のラジカルを含むプラズマを線状に形成し、ダメージフリーかつ高速な成膜・エッチング等を行い、連続的なウエハ等の加工を実現する。また、略々大気圧動作としガス流によるプロセス空間等の隔離を行うことでロードロックが不必要となり、直接成膜・CVD・エッチング・平坦化・洗浄等のプロセスがガスの切り替えだけで可能なことから大半のプロセスを大気圧で行え、効率的なプロセスが可能となる。

請求項（抜粋）：

電磁波を用いて線状のプラズマを形成し、加工物表面を前記線状プラズマに水平に保ちつつ、加工物およびプラズマの相対位置を移動しつつ加工物の表面加工を行なうことを特徴とするプラズマ加工装置。

IPC (5件)：

H01L 21/304 645 , B23K 10/00 504 , H01L 21/205 , H01L 21/3065 , H05H 1/30

FI (5件)：

H01L 21/304 645 C , B23K 10/00 504 , H01L 21/205 , H05H 1/30 , H01L 21/302 B

Fターム (55件)：

4E001LH00 , 4E001NA01 , 5F004AA01 , 5F004AA16 , 5F004BA20 , 5F004BB11 , 5F004BB24 , 5F004BC04 , 5F004BC06 , 5F004BD04 , 5F004CA02 , 5F004CA05 , 5F004DA00 , 5F004DA01 , 5F004DA02 , 5F004DA03 , 5F004DA15 , 5F004DA16 , 5F004DA17 , 5F004DA18 , 5F004DA22 , 5F004DA23 , 5F004DA24 , 5F004DA25 , 5F004DA26 , 5F045AA09 , 5F045AA13 , 5F045AC01 , 5F045AC05 , 5F045AC11 , 5F045AC12 , 5F045AC15 , 5F045AC16 , 5F045AC17 , 5F045AE13 , 5F045AE15 , 5F045AE17 , 5F045AE19 , 5F045AE21 , 5F045AE23 , 5F045AE25 , 5F045AE29 , 5F045AF03 , 5F045AF08 , 5F045BB02 , 5F045BB09 , 5F045DP23 , 5F045DQ15 , 5F045EF01 , 5F045EF17 , 5F045EH05 , 5F045EH10 , 5F045EM01 , 5F045HA24 , 5F045HA25

引用特許：

審査官引用 (12件)

ダイヤモンド合成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-182617 出願人：住友電気工業株式会社
選択めっき方法および回路板の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-295694 出願人：松下電工株式会社
特開平4-187507

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