特許

J-GLOBAL ID：200903032419374029

リードフレーム、その製造方法、半導体装置及びその製造方法

発明者： 大沢 健治 ,  草野 英俊
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 尾川 秀昭
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-136776
公開番号（公開出願番号）：特開平10-335569
出願日： 1997年05月27日
公開日（公表日）： 1998年12月18日
要約：

【要約】【課題】 多層構造のリードフレームのエッチングストップ層をメッキにより大がかりな装置を用いることなく簡単に形成できるようにし、エッチングストップ層の他の金属層との密着力を高め、以てエッチングストップ層と他の層との間に薬品が浸透しての劣化による剥離の発生防止。【解決手段】 エッチングストップ層22を中間層としてその一方の面に厚い金属層23を、他方の面に薄い金属層24を形成した状態でエッチングストップ層22をエッチングストッパとして上記金属層23、24を選択的にエッチングするエッチング工程と、上記両面の金属層23、24をマスクとしてエッチングストップ層22をエッチングする工程を少なくとも有するリードフレームの製造方法において、エッチングストップ層22としてニッケル系金属からなるものを用いる。

請求項（抜粋）：

厚い配線層からなるアウターリードと、薄い配線層からなるインナーリードとの間にエッチングストップ層を介在せしめたリードフレームにおいて、上記エッチングストップ層がニッケル系金属からなることを特徴とするリードフレーム

FI (4件)：

H01L 23/50 W ,  H01L 23/50 A ,  H01L 23/50 V ,  H01L 23/50 X

引用特許：

審査官引用 (1件)

• リードフレーム材
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-020613   出願人：日本電解株式会社