半導体装置の製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：前田弘 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-205063
公開番号（公開出願番号）：特開2000-200908
出願日： 1999年07月19日
公開日（公表日）： 2000年07月18日
要約：

【要約】【課題】ゲート絶縁膜の信頼性を損なうことなくゲート絶縁膜を薄膜化できるようにすると共に、アスペクト比の高いゲート電極を形成できるようにする。【解決手段】 p型シリコン基板100の表面部に第1の絶縁膜101及びn型不純物層102を形成した後、第2の絶縁膜103及び第3の絶縁膜108を堆積し、その後、該絶縁膜に対してエッチングを行なって凹状溝110を形成する。凹状溝110の底面の下方領域に、n型不純物層102を分断するように第2のp型不純物層111を形成して、ソース領域112及びドレイン領域113を形成する。第1の絶縁膜101における第2のp型不純物層111の上の部分を除去した後、第2のp型不純物層111の上にゲート絶縁膜114を形成し、その後、凹状溝110にゲート電極となる導電性膜115を埋め込む。

請求項（抜粋）：

半導体基板の表面部に第1導電型の不純物層を形成する工程と、前記半導体基板の上に絶縁膜を堆積した後、ゲート電極形成領域における少なくとも前記絶縁膜を除去して凹状溝を形成する工程と、前記凹状溝内に露出している前記半導体基板の表面上にゲート絶縁膜を形成する工程と、前記凹状溝に導電膜を埋め込むことによりゲート電極を形成する工程とを備えていることを特徴とする半導体装置の製造方法。

FI (3件)：

H01L 29/78 301 G , H01L 29/78 301 V , H01L 29/78 301 S

引用特許：

出願人引用 (4件)

半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-002164 出願人：富士通株式会社
特開平4-259258
半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-132967 出願人：松下電器産業株式会社

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審査官引用 (6件)

特開平4-259258
半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-002164 出願人：富士通株式会社
特開昭63-211762

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