特許
J-GLOBAL ID：200903032446921520
半導体装置及びその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
稲垣 清
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-242035
公開番号（公開出願番号）：特開2001-068495
出願日： 1999年08月27日
公開日（公表日）： 2001年03月16日
要約：
【要約】【課題】 半導体装置の表面に形成されたはんだボールにより半導体装置と配線基板とを接続するとき、半導体装置と配線基板との熱膨張係数の違いによる応力歪みが作用しても、電極パッドとバリヤ膜との剥離を防止し、製造留りを向上させ、半導体装置と配線基板との接続信頼性の向上を図ることができる半導体装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】 半導体装置は、半導体基板11上に形成されたバリヤ膜18及びCuを含む電極パッド19と、電極パッド19上に形成されたSnを含むはんだボール24とを備え、配線基板の電極と該電極に対応する半導体基板11の電極パッド19とをはんだボール24を介して接続する。この半導体装置は、バリヤ膜18と電極パッド19との境界面の端面部分へのはんだボール24のSn成分の拡散を規制するサイドウォール29を備えている。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に形成されたバリヤ膜及びCuを含む電極パッドと、該電極パッド上に形成されたSnを含むはんだボールとを備えた半導体装置において、前記バリヤ膜と電極パッドとの境界面の端面部分へのSn成分の拡散を規制するサイドウォールを備えることを特徴とする半導体装置。
FI (2件)：
H01L 21/92 602 H
, H01L 21/92 603 D
