特許

J-GLOBAL ID：200903032450801920

圧電体パターンの形成方法、圧電体パターン、圧電体素子、液滴吐出ヘッド、センサ、及びデバイス

発明者： 高桑 敦司
出願人/特許権者： セイコーエプソン株式会社
代理人 (3件)： 西 和哉 ,  志賀 正武 ,  青山 正和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-303171
公開番号（公開出願番号）：特開2005-072473
出願日： 2003年08月27日
公開日（公表日）： 2005年03月17日
要約：

【課題】 任意の平面形状を有する圧電体薄膜を低コストで、かつ短いタクトタイムで形成することが可能となる圧電体パターンの形成方法、並びに圧電体パターンを提供する。【解決手段】 圧電体層を形成するための圧電体材料に対して相対的に高い親和性を有する高親和性領域A1(第1の領域)と、前記高親和性領域に比して前記圧電体材料に対する親和性が低い低親和性領域A2(第2の領域)とを基板1上に形成する工程(a)と、前記基板1上に圧電体材料を供給し、前記高親和性領域A1に前記圧電体材料を配置して圧電体層10を形成する工程(b)と、を含む形成方法とする。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

基体上に所定平面形状の圧電体層を形成する圧電体パターンの形成方法であって、 圧電体層を形成するための圧電体材料に対して高い親和性を有する第1の領域と、前記第1の領域に比して前記圧電体材料に対する親和性が低い第2の領域とを前記基体上に形成する工程と、 前記基体上に圧電体材料を供給し、前記第1の領域に前記圧電体材料を配置する工程と、 を含むことを特徴とする圧電体パターンの形成方法。

IPC (8件)：

H01L41/22 ,  B41J2/16 ,  H01L41/08 ,  H01L41/09 ,  H01L41/187 ,  H02N2/00 ,  H03H3/02 ,  H03H9/17

FI (12件)：

H01L41/22 Z ,  H02N2/00 B ,  H03H3/02 C ,  H03H9/17 F ,  H01L41/08 C ,  H01L41/08 D ,  H01L41/18 101B ,  H01L41/18 101D ,  H01L41/18 101J ,  H01L41/08 J ,  H01L41/08 Z ,  B41J3/04 103H

Fターム (14件)：

2C057AF93 ,  2C057AP14 ,  2C057AP53 ,  5J108AA06 ,  5J108BB07 ,  5J108BB08 ,  5J108CC11 ,  5J108EE03 ,  5J108EE04 ,  5J108EE07 ,  5J108FF05 ,  5J108GG03 ,  5J108KK01 ,  5J108MM11

引用特許：

出願人引用 (1件)

• インクジェットプリントヘッドの製造方法及びインクジェットプリントヘッド
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-095496   出願人：ローム株式会社