特許

J-GLOBAL ID：200903032477912634

レジスト材料及びレジストパターンの形成方法

発明者： 小太刀 明子 ,  武智 敏
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 石田 敬 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-112604
公開番号（公開出願番号）：特開平10-301284
出願日： 1997年04月30日
公開日（公表日）： 1998年11月13日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】 高解像性、高感度及び優れたドライエッチング耐性に加えて、成膜時にクラックの発生を防止できる化学増幅型レジスト材料を提供する。【解決手段】 次式により表される構造単位(I):を含む酸感応性重合体と、放射線露光により酸を発生する酸発生剤とを含むように構成する。

請求項（抜粋）：

次式により表される構造単位(I):【化1】(上式において、Rは、同一もしくは異なっていてもよく、それぞれ、水素原子、ハロゲン原子、置換もしくは非置換の、直鎖状、分岐鎖状あるいは環状の炭化水素基又はハロゲン化炭化水素基を表し、R1 は、置換もしくは非置換の、直鎖状、分岐鎖状あるいは環状の炭化水素基を表し、そしてZ1 及びZ2 は、同一もしくは異なっていてもよく、それぞれ、記載の炭素原子とともに脂環式炭化水素基又はその誘導体を完成するのに必要な複数個の原子を表す)を有する酸感応性重合体と、放射線露光により酸を発生する酸発生剤とを含んでなることを特徴とする化学増幅型レジスト材料。

IPC (4件)：

G03F 7/039 601 ,  G03F 7/004 503 ,  G03F 7/38 511 ,  H01L 21/027

FI (5件)：

G03F 7/039 601 ,  G03F 7/004 503 A ,  G03F 7/38 511 ,  H01L 21/30 502 R ,  H01L 21/30 568

引用特許：

審査官引用 (1件)

• レジスト材料及びレジストパターンの形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-050264   出願人：富士通株式会社