特許
J-GLOBAL ID：200903073940956911

レジスト材料及びレジストパターンの形成方法

発明者：
武智 敏

武智 敏 について

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小太刀 明子

小太刀 明子 について

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高橋 真

高橋 真 について


出願人/特許権者：
富士通株式会社

富士通株式会社 について


代理人 (1件)： 石田 敬 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-050264
公開番号（公開出願番号）：特開平9-073173
出願日： 1996年03月07日
公開日（公表日）： 1997年03月18日
要約：
【要約】【課題】 現像時のクラックの発生やパターンの剥離を低減可能な化学増幅型レジスト材料を提供することを目的とする。【解決手段】 脂環式炭化水素基を含有しかつその基の炭素原子に低級アルキル基が結合している部分を含む保護されたアルカリ可溶性基を有し、そしてそのアルカリ可溶性基が酸により脱離して当該化合物をアルカリ可溶性とならしめる構造単位を含む酸感応性化合物と、放射線露光により酸を発生する酸発生剤とを含んでなるように、構成する。
請求項（抜粋）：
次式(I)〜(VI)のいずれかにより表される脂環式炭化水素基含有部分:【化1】(上式において、RI は、1〜4個の炭素原子を有する直鎖もしくは分岐鎖のアルキル基を表し、置換もしくは非置換のいずれであってもよく、そしてZは、記載の炭素原子とともに脂環式炭化水素基を完成するのに必要な複数個の原子を表す)【化2】(上式において、RIIは、同一もしくは異なっていてもよく、1〜4個の炭素原子を有する置換もしくは非置換の直鎖もしくは分岐鎖のアルキル基又は脂環式脂環式炭化水素基を表し、但し、RIIの少なくとも1個は脂環式炭化水素基である)【化3】(上式において、RIIは前記定義に同じである)【化4】(上式において、RIII は、同一もしくは異なっていてもよく、プロトン、1〜4個の炭素原子を有する置換もしくは非置換の直鎖もしくは分岐鎖のアルキル基又は脂環式炭化水素基を表し、但し、RIII の少なくとも1個は脂環式炭化水素基であり、また、式中、非二重結合の炭素原子に結合した2個のRIII のうち少なくとも1個は、1〜4個の炭素原子を有する置換もしくは非置換の直鎖もしくは分岐鎖のアルキル基又は脂環式炭化水素基である)【化5】(上式において、RIIは前記定義に同じである)【化6】(上式において、RI 及びZは前記定義に同じである)で保護されたアルカリ可溶性基を有しかつ前記アルカリ可溶性基が酸により脱離して当該化合物をアルカリ可溶性とならしめる構造単位を含む酸感応性化合物と、放射線露光により酸を発生する酸発生剤とを含んでなることを特徴とするレジスト材料。
IPC (3件)：
G03F 7/039 501 ,  G03F 7/004 503 ,  H01L 21/312
FI (3件)：
G03F 7/039 501 ,  G03F 7/004 503 ,  H01L 21/312
引用特許：
審査官引用 (14件)
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