特許

J-GLOBAL ID：200903032477992727

半導体メモリ装置

発明者： 平野 博茂 ,  角 辰己 ,  長野 能久
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 小鍜治 明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-170844
公開番号（公開出願番号）：特開平8-036888
出願日： 1994年07月22日
公開日（公表日）： 1996年02月06日
要約：

【要約】【目的】 ビット線へのデータ読み出し電位を大きくする。【構成】 本体メモリセルキャパシタ容量値Csとビット線BL0,/BL0間に読み出された電位差Vrとの関係から、電位差Vrは本体メモリセルキャパシタ容量値Csに対して最大値をもつ曲線で表される。Vrmはセンスアンプで正確に増幅できる読み出し可能最低電位差値を示している。このVrmと図の曲線の交点のうち本体メモリセルキャパシタ容量値の小さい方をCsl、本体メモリセルキャパシタ容量値の大きい方をCshとする。本体メモリセルキャパシタ容量の値CsはCslとCshとの間にあることが必要である。

請求項（抜粋）：

増幅器に第1のビット線と前記第1のビット線と対になった第2のビット線が接続され、第1のMOSトランジスタに第1のワード線と第1の強誘電体キャパシタと前記第1のビット線とが接続され、前記第1の強誘電体キャパシタが第1のプレート電極に接続され、前記第1のビット線と前記第2のビット線との間に生じる電位差を所望の値にするように前記第1の強誘電体キャパシタの容量が決定されることを特徴とする半導体メモリ装置。

IPC (5件)：

G11C 14/00 ,  G11C 11/22 ,  H01L 27/10 451 ,  H01L 27/108 ,  H01L 21/8242

FI (2件)：

G11C 11/34 352 A ,  H01L 27/10 651

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平2-301093
  
• 強誘電体コンデンサのリフレツシユ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-004864   出願人：ナシヨナルセミコンダクタコーポレイシヨン
• 特開昭63-201998