特許

J-GLOBAL ID：200903032497486569

不揮発性メモリトランジスタを有する半導体メモリ

発明者： ヤング ナイジェル デヴィッド
出願人/特許権者： フィリップス エレクトロニクス ネムローゼ フェンノートシャップ
代理人 (1件)： 杉村 暁秀 (外1名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-517446
公開番号（公開出願番号）：特表平9-510039
出願日： 1995年11月02日
公開日（公表日）： 1997年10月07日
要約：

【要約】駆動トランジスタとして不揮発性メモリトランジスタ(Tm)を有する半導体メモリセル(特に薄膜デバイス、ただし薄膜デバイスに限定されるものではない)を用い、本発明は、メモリトランジスタの異なる状態についてセルから出力信号(I)に適切な差を発生させ(不十分なトランジスタ特性にもかかわらず)、これにより多数のメモリセルをアレイ(100)として構成する。各メモリセルは不揮発性メモリトランジスタ(Tm)により駆動される負荷(Tl)を含む。メモリトランジスタの異なるメモリ状態において、メモリトランジスタ(Tm)と負荷との間の接続部(30)に信号差が生ずる。各セルは、前記接続部に結合されこの接続部の信号により一方の出力状態から他方の出力状態に切り換わるスイッチを含む。このスイッチの出力状態がセルからの出力信号(I)を形成する。本発明の回路装置によりメモリトランジスタ(Tm)及び出力スイッチ(Tl)をメモリ機能及び出力機能について最良のものとすることができる。メモリトランジスタは誘電体蓄積型(MNOS)又はフローティングゲート型とすることができる。薄膜回路メモリにおいて、出力スイッチは薄膜トランジスタ又は薄膜ダイオードとすることができる。

請求項（抜粋）：

不揮発性メモリトランジスタにより駆動される負荷をそれぞれ含む複数のメモリセルを具え、メモリトランジスタが、このトランジスタの第1のメモリ状態で導通し第2のメモリ状態でほとんど導通しない導通チャネルを有し、メモリトランジスタと負荷との間の接続部に信号差を生ずる半導体メモリにおいて、各セルが、前記接続部に結合されこの接続部の信号により一方の出力状態から他方の出力状態に切り換えられるスイッチを含み、このスイッチの出力状態がセルからの出力信号を形成する半導体メモリ。

IPC (5件)：

G11C 16/02 ,  H01L 21/8247 ,  H01L 27/115 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792

FI (3件)：

G11C 17/00 307 C ,  H01L 27/10 434 ,  H01L 29/78 371

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開昭60-038799
  
• メモリ装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-041508   出願人：オリンパス光学工業株式会社
• 特開昭60-038799