特許

J-GLOBAL ID：200903032506116109

リモートプラズマを利用してウェーハに薄膜を蒸着する装置及び方法

発明者： パク、ヨン ホン ,  イム、ホン ジュ ,  イ、サン キュ ,  キョン、ヒョン ス ,  ベ、チャン ホ
出願人/特許権者： アイピーエス リミテッド
代理人 (2件)： 恩田 博宣 ,  恩田 誠
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-586390
公開番号（公開出願番号）：特表2005-523580
出願日： 2003年04月17日
公開日（公表日）： 2005年08月04日
要約：

リモートプラズマALD装置は反応容器と、反応容器からガスを外部に排出する排気ラインと、第1反応ガスを反応容器または排気ラインに選択的に供給するための第1反応ガス供給部と、第1反応ガス供給部と反応容器とを連結する第1反応ガス移送ラインと、第1反応ガス供給部と排気ラインとを連結する第1バイパスラインと、ラジカルを生成し、そのラジカルを反応容器または排気ラインに選択的に供給するためのラジカル供給部と、ラジカル供給部と反応容器とを連結するラジカル移送ラインと、ラジカル供給部と排気ラインとを連結する第2バイパスラインと、メインパージガスを第1反応ガス移送ライン及び/またはラジカル移送ラインに供給するメインパージガス供給部とを含む。

請求項（抜粋）：

ウェーハが内蔵される反応容器と、 前記反応容器からガスを外部に排出する排気ラインと、 第1反応ガスを前記反応容器または排気ラインに選択的に供給するための第1反応ガス供給部と、 前記第1反応ガス供給部と前記反応容器とを連結する第1反応ガス移送ラインと、 前記第1反応ガス供給部と前記排気ラインとを連結する第1バイパスラインと、 第2反応ガスにプラズマを印加して対応するラジカルを生成した後、そのラジカルを前記反応容器または排気ラインに選択的に供給するためのラジカル供給部と、 前記ラジカル供給部と前記反応容器とを連結するラジカル移送ラインと、 前記ラジカル供給部と前記排気ラインとを連結する第2バイパスラインと、 メインパージガスを前記第1反応ガス移送ライン及び/または前記ラジカル移送ラインに供給するメインパージガス供給部とを備えるリモートプラズマ原子層蒸着装置。

IPC (4件)：

H01L21/31 ,  C23C16/452 ,  H01L21/205 ,  H01L21/316

FI (4件)：

H01L21/31 C ,  C23C16/452 ,  H01L21/205 ,  H01L21/316 C

Fターム (26件)：

4K030AA03 ,  4K030AA11 ,  4K030AA14 ,  4K030AA17 ,  4K030BA02 ,  4K030BA18 ,  4K030BA38 ,  4K030EA03 ,  4K030EA05 ,  4K030FA01 ,  4K030FA10 ,  4K030JA11 ,  5F045AA08 ,  5F045AB31 ,  5F045AC08 ,  5F045BB02 ,  5F045BB04 ,  5F045DP03 ,  5F045EC07 ,  5F045EE06 ,  5F045EG01 ,  5F045EH18 ,  5F058BC03 ,  5F058BF07 ,  5F058BF27 ,  5F058BF29

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 原料供給装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-310750   出願人：住友電気工業株式会社
• 特開昭63-069220
  
• 特開昭63-069220