特許
J-GLOBAL ID：200903032507403004
多結晶薄膜とその製造方法および酸化物超電導導体とその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
志賀 正武 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-208103
公開番号（公開出願番号）：特開平11-049599
出願日： 1997年08月01日
公開日（公表日）： 1999年02月23日
要約：
【要約】【課題】 本発明は、基材の被成膜面に対して直角向きにCeO2の結晶粒の結晶軸のc軸を配向させることができると同時に、被成膜面と平行な面に沿ってCeO2の結晶粒の結晶軸のa軸およびb軸をも揃えることができ、結晶配向性に優れた多結晶薄膜を提供すること、および、結晶配向性に優れた酸化物超電導層を備えた酸化物超電導導体の提供を目的とする。【解決手段】 本発明は、多結晶基材Aの被成膜面上に形成されたCeO2を主体とするホタル石型構造の結晶粒20が、多数、結晶粒界を介し結合されてなる多結晶薄膜Bであって、多結晶基材Aの被成膜面と平行な面に沿うCeO2の各結晶粒の同一結晶軸が構成する粒界傾角Kが、20〜30度の範囲にされてなることを特徴とする。
請求項（抜粋）：
多結晶基材の被成膜面上に形成されたCeO2を主体とするホタル石型構造の結晶粒が、多数、結晶粒界を介し結合されてなる多結晶薄膜であって、多結晶基材の被成膜面と平行な面に沿うCeO2の各結晶粒の同一結晶軸が構成する粒界傾角が、20〜30度の範囲にされてなることを特徴とする多結晶薄膜。
IPC (11件)：
C30B 29/16
, C01G 1/00
, C23C 14/06
, C23C 14/34
, C23C 14/48
, C30B 23/00
, C30B 29/22 501
, H01B 12/06 ZAA
, H01B 13/00 565
, H01L 39/02 ZAA
, H01L 39/24 ZAA
C30B 29/16
, C01G 1/00 S
, C23C 14/06 S
, C23C 14/34 A
, C23C 14/48 D
, C30B 23/00
, C30B 29/22 501 K
, H01B 12/06 ZAA
, H01B 13/00 565 D
, H01L 39/02 ZAA W
, H01L 39/24 ZAA W
