特許
J-GLOBAL ID：200903032522014669
半導体受光素子
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
池内 義明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-087463
公開番号（公開出願番号）：特開平9-252101
出願日： 1996年03月15日
公開日（公表日）： 1997年09月22日
要約：
【要約】【課題】 半導体受光素子において、遮光層が分断された場合にも入射光による回路の誤動作を的確に防止する。【解決手段】 入射した光を対応する電気信号に変換するための受光部領域1と該受光部領域以外の領域3,5,7とを有する半導体受光素子において、受光部領域以外の領域3,5,7上に形成された遮光層29a,29bを備え、該遮光層29a,29bは複数領域に分割され、各領域が少なくとも半導体基板11に設けられたウェル領域15a,15bを覆っている。前記遮光層は部分的に重なり合う複数の遮光層33a,33b,35a,35bから構成することもできる。また、半導体基板またはウェルの電位を固定することによって光生成電荷によるウェル電位の変動をおさえ回路の誤動作を防止する。
請求項（抜粋）：
入射した光を対応する電気信号に変換するための受光部領域と該受光部領域以外の領域とを有する半導体受光素子であって、前記受光部領域以外の領域上に形成された遮光層を具備し、該遮光層は複数領域に分割され、各領域が少なくとも半導体基板に設けられたウェル領域を覆っていることを特徴とする半導体受光素子。
IPC (3件)：
H01L 27/14
, H01L 31/10
, H04N 5/335
H01L 27/14 D
, H04N 5/335 V
, H01L 31/10 A
