半導体装置の作製方法

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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-134006
公開番号（公開出願番号）：特開2001-319877
出願日： 2000年05月02日
公開日（公表日）： 2001年11月16日
要約：

【要約】【課題】非晶質半導体膜から、熱結晶化法やレーザーアニール法を用いて作製される結晶質半導体膜の配向性を高めることを目的とする。さらに、そのような結晶質半導体膜を用いることでTFTの特性を向上させ、特性バラツキを低減させることを目的とする。【解決手段】絶縁表面上に選択的に第1の絶縁膜を形成する工程と、前記絶縁表面上及び前記第1の絶縁膜上に第2の絶縁膜を形成する工程と、前記第2の絶縁膜の表面をハロゲン元素で処理する工程と、前記第2の絶縁膜上に非晶質半導体膜を形成する工程と、前記非晶質半導体膜中または前記非晶質半導体膜に接して触媒元素を付加する工程と、前記非晶質半導体膜に第1の熱処理を行い第1の結晶質半導体膜を形成する工程と、前記第1の結晶質半導体膜にレーザー光を照射して第2の結晶質半導体膜を形成する工程とを有することを特徴としている。

請求項（抜粋）：

絶縁表面上に選択的に第1の絶縁膜を形成する第1の工程と、前記絶縁表面上及び前記第1の絶縁膜上に第2の絶縁膜を形成する第2の工程と、前記第2の絶縁膜の表面をハロゲン元素で処理する第3の工程と、前記第3の工程の後に、前記第2の絶縁膜上に非晶質構造を有する半導体膜を形成する第4の工程と、前記非晶質構造を有する半導体膜中または前記非晶質構造を有する半導体膜に接して該非晶質構造を有する半導体膜の結晶化を助長する触媒元素を付加する第5の工程と、前記非晶質構造を有する半導体膜に第1の熱処理を行い第1の結晶質半導体膜を形成する第6の工程と、前記第1の結晶質半導体膜にレーザー光を照射して第2の結晶質半導体膜を形成する第7の工程とを有することを特徴とする半導体装置の作製方法。

IPC (7件)：

H01L 21/20 , G02F 1/1368 , G09F 9/30 338 , H01L 21/268 , H01L 27/08 331 , H01L 29/786 , H01L 21/336

FI (7件)：

H01L 21/20 , G09F 9/30 338 , H01L 21/268 F , H01L 27/08 331 E , G02F 1/136 500 , H01L 29/78 626 C , H01L 29/78 627 G

Fターム (118件)：

2H092GA59 , 2H092JA25 , 2H092JA28 , 2H092JA46 , 2H092JB58 , 2H092KA04 , 2H092KB25 , 2H092MA05 , 2H092MA08 , 2H092MA10 , 2H092MA17 , 2H092MA30 , 2H092MA37 , 2H092NA21 , 5C094AA02 , 5C094BA03 , 5C094BA43 , 5C094CA19 , 5C094EA04 , 5C094EA05 , 5C094EB02 , 5C094HA08 , 5C094HA10 , 5F048AA08 , 5F048AB10 , 5F048AC04 , 5F048AC10 , 5F048BA10 , 5F048BA16 , 5F048BB05 , 5F048BC06 , 5F048BC11 , 5F048BD04 , 5F048BE08 , 5F048BF02 , 5F048BF07 , 5F048BF11 , 5F048BG05 , 5F052AA02 , 5F052AA11 , 5F052BA07 , 5F052BB02 , 5F052BB07 , 5F052CA04 , 5F052DA02 , 5F052DB02 , 5F052DB03 , 5F052DB07 , 5F052EA12 , 5F052FA06 , 5F052FA19 , 5F052FA26 , 5F052JA01 , 5F110AA16 , 5F110AA30 , 5F110BB02 , 5F110BB04 , 5F110CC02 , 5F110DD02 , 5F110DD13 , 5F110DD14 , 5F110DD15 , 5F110DD17 , 5F110DD21 , 5F110DD25 , 5F110EE01 , 5F110EE04 , 5F110EE14 , 5F110EE23 , 5F110FF01 , 5F110FF02 , 5F110FF04 , 5F110FF09 , 5F110FF28 , 5F110FF30 , 5F110FF35 , 5F110GG01 , 5F110GG02 , 5F110GG13 , 5F110GG17 , 5F110GG25 , 5F110GG43 , 5F110GG45 , 5F110GG47 , 5F110HJ01 , 5F110HJ04 , 5F110HJ12 , 5F110HJ13 , 5F110HJ23 , 5F110HL03 , 5F110HL04 , 5F110HL07 , 5F110HM15 , 5F110NN02 , 5F110NN22 , 5F110NN24 , 5F110NN27 , 5F110NN35 , 5F110NN72 , 5F110PP01 , 5F110PP03 , 5F110PP04 , 5F110PP05 , 5F110PP06 , 5F110PP07 , 5F110PP10 , 5F110PP13 , 5F110PP29 , 5F110PP34 , 5F110PP35 , 5F110PP40 , 5F110QQ04 , 5F110QQ09 , 5F110QQ11 , 5F110QQ23 , 5F110QQ24 , 5F110QQ25 , 5F110QQ28

引用特許：

審査官引用 (7件)

特開昭58-112333
半導体装置およびその作製方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-066750 出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
半導体および半導体装置の作製方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-039499 出願人：株式会社半導体エネルギー研究所

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