特許
J-GLOBAL ID：200903077644129932

半導体装置およびその作製方法

発明者：
田中 幸一郎

田中 幸一郎 について


出願人/特許権者：
株式会社半導体エネルギー研究所

株式会社半導体エネルギー研究所 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-066750
公開番号（公開出願番号）：特開平8-236471
出願日： 1995年03月01日
公開日（公表日）： 1996年09月13日
要約：
【要約】【目的】 特性の安定した薄膜トランジスタを得る。【構成】 ガラス基板101上に酸化珪素膜102をCVD法で成膜する。そして酸素やリンのイオンを打ち込むことにより、酸化珪素膜102中に欠陥格子領域を形成する。そして非晶質珪素膜103を成膜する。次に非晶質珪素膜の表面に珪素の結晶化を助長する金属元素であるニッケルを接して保持させる。この状態で加熱処理を加えることにより、非晶質珪素膜103を結晶化させる。この際、非晶質珪素膜103中に拡散していくニッケル元素が酸化珪素膜102中の欠陥格子領域にトラップされる。こうして、結晶化された珪素膜中におけるニッケル元素の濃度を低減させることができる。
請求項（抜粋）：
珪素の結晶化を助長する金属元素をトラップする格子欠陥領域を形成する工程と、前記格子欠陥領域に接して非晶質珪素膜で構成される素子領域を形成する工程と、前記素子領域を構成する非晶質珪素膜に接して前記金属元素を接して保持させる工程と、加熱処理を施し前記素子領域を結晶化させる工程と、を有することを特徴とする半導体装置の作製方法。
IPC (6件)：
H01L 21/265 ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/324 ,  H01L 27/12 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336
FI (6件)：
H01L 21/265 Q ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/324 Z ,  H01L 27/12 R ,  H01L 21/265 Y ,  H01L 29/78 627 G
引用特許：
審査官引用 (5件)
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