特許
J-GLOBAL ID：200903032526408467
半導体装置、その製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
若林 忠 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-295748
公開番号（公開出願番号）：特開平11-135794
出願日： 1997年10月28日
公開日（公表日）： 1999年05月21日
要約：
【要約】【課題】 第一導電型の一個の基板に第一導電型と第二導電型との一対のオフセット型のトランジスタが形成されたCMOS構造の半導体装置において、一対のトランジスタの耐圧やオン抵抗を同等とする。【解決手段】 第二導電型のトランジスタ102をLMOS構造に形成し、第一導電型のトランジスタ101をLDMOS構造に形成することにより、この第一導電型のトランジスタ101に、ドレインオフセット拡散層126と同一に機能するドレインベース層125をソースベース拡散層114とは別個に基板5の位置に形成し、第二導電型のトランジスタ102と同様に耐圧が安定して高くオン抵抗が低い構造とする。
請求項（抜粋）：
第一導電型の第一第二基板が埋込酸化膜を介して一体に接合された一枚のSOI(Silicon On Insulator)基板にMOS(Metal OxideSemiconductor)構造の第一導電型と第二導電型との一対のオフセット型のトランジスタが相互に絶縁分離されて形成されているCMOS(ComplementaryMOS)構造の半導体装置において、第二導電型の前記トランジスタがLMOS(Lateral MOS)構造に形成されており、第一導電型の前記トランジスタがLDMOS(Lateral Double-diffusedMOS)構造に形成されていることを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
H01L 29/786
, H01L 21/336
H01L 29/78 613 A
, H01L 29/78 612
, H01L 29/78 616 V
, H01L 29/78 617 A
, H01L 29/78 622
, H01L 29/78 626 C
