特許
J-GLOBAL ID：200903032531797374
窒化物半導体基板の製造方法及び窒化物半導体素子の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-056047
公開番号（公開出願番号）：特開平10-256662
出願日： 1997年03月11日
公開日（公表日）： 1998年09月25日
要約：
【要約】【目的】 結晶性の良い窒化物半導体よりなる基板の製造方法と、窒化物半導体基板を用いた素子の新規な製造方法を提供する。【構成】 窒化物半導体と異なる材料よりなる厚さ1mm以上の基板の上に、窒化物半導体を100μm以上の膜厚で成長させた後、その基板を除去し、一方窒化物半導体と異なる材料よりなる基板の上に、窒化物半導体を100μm以上の膜厚で成長させる第1の工程と、第1の工程後、前記基板を除去することによって窒化物半導体基板を作製する第2の工程と、第2の工程後、表面の凹凸差が±1μm以下になるまで窒化物半導体基板表面を研磨する第3の工程と、第3の工程後、窒化物半導体基板の研磨面に新たな窒化物半導体を成長させる第4の工程とを備える。
請求項（抜粋）：
窒化物半導体と異なる材料よりなる厚さ1mm以上の基板の上に、窒化物半導体を100μm以上の膜厚で成長させた後、その基板を除去することを特徴とする窒化物半導体基板の製造方法。
IPC (4件)：
H01S 3/18
, H01L 33/00
, H01L 21/02
, H01L 21/205
H01S 3/18
, H01L 33/00 C
, H01L 21/02 B
, H01L 21/205
