3-5族化合物半導体発光素子

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：久保山隆 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-170774
公開番号（公開出願番号）：特開平9-023026
出願日： 1995年07月06日
公開日（公表日）： 1997年01月21日
要約：

【要約】【課題】バンド端発光を利用した高い発光効率を有する発光素子を提供する。【解決手段】サファイア基板上に、一般式Inx Gay Alz N(ただし、x+y+z=1、0≦x≦1、0≦y≦1、0≦z≦1)で表されるバンドギャップの異なる少なくとも2つの層を含む化合物半導体が積層されてなる発光素子であって、該サファイアの基板面とC面とのなす角が5度未満であり、バンド端発光によることを特徴とする3-5族化合物半導体発光素子。

請求項（抜粋）：

サファイア基板上に、一般式Inx Gay Alz N(ただし、x+y+z=1、0≦x≦1、0≦y≦1、0≦z≦1)で表されるバンドギャップの異なる少なくとも2つの層を含む化合物半導体が積層されてなる発光素子であって、該サファイアの基板面とC面とのなす角が5度未満であり、バンド端発光によることを特徴とする3-5族化合物半導体発光素子。

IPC (4件)：

H01L 33/00 , H01L 21/205 , H01L 27/12 , H01S 3/18

FI (4件)：

H01L 33/00 C , H01L 21/205 , H01L 27/12 S , H01S 3/18

引用特許：

審査官引用 (10件)

半導体発光素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-203084 出願人：日本電信電話株式会社
半導体発光素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-013393 出願人：シャープ株式会社
窒化ガリウム系化合物半導体発光素子及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-100215 出願人：日亜化学工業株式会社

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