薄膜形成方法

発明者： , , , , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (2件)：石島茂男 (外1名) , 石島茂男 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-273815
公開番号（公開出願番号）：特開2001-098371
出願日： 1999年09月28日
公開日（公表日）： 2001年04月10日
要約：

【要約】【課題】スパッタリング法で形成される薄膜を高密度化する。【解決手段】成膜室2を接地した状態で、ターゲットホルダ11に正電圧と負電圧とを交互に印加するとともに、ターゲットホルダ11に印加される電圧と逆極性の電圧を基板ホルダ9に印加している。Ar+は、ターゲットホルダ11に負電圧が印加されるときにはターゲットをスパッタして基板10表面に薄膜を成膜させ、基板ホルダ9に負電圧が印加されるときには基板10表面をスパッタしてスパッタ粒子を活性化し、薄膜を緻密にする。従って、イオン源を用いなくともイオンアシスト効果が得られ、基板10表面に高密度な薄膜を成膜することができる。

請求項（抜粋）：

真空槽と、前記真空槽内に配置された基板ホルダと、前記基板ホルダと対向するように前記真空槽内に配置されたターゲットとを有する成膜装置を用い、前記基板ホルダに基板を保持させ、前記真空槽内にスパッタガスを導入した状態で、前記ターゲットと、前記基板ホルダとに電圧を印加して前記スパッタガスをイオン化し、前記スパッタガスのイオンで前記ターゲットをスパッタリングさせ、前記基板表面に薄膜を形成する薄膜形成方法であって、前記真空槽を接地電位としたときに、前記ターゲットと前記基板ホルダとに、逆極性の電圧を交互に印加することを特徴とする薄膜形成方法。

Fターム (4件)：

4K029BA34 , 4K029DC05 , 4K029DC35 , 4K029JA02

引用特許：

審査官引用 (7件)

特開昭59-205477
特開昭59-205477
特開平3-107456

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