特許
J-GLOBAL ID：200903032578611600

不揮発性半導体記憶装置及びその製造方法

発明者：
佐藤 康夫

佐藤 康夫 について


出願人/特許権者：
新日本製鐵株式会社

新日本製鐵株式会社 について


代理人 (1件)： 國分 孝悦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-061868
公開番号（公開出願番号）：特開平8-298295
出願日： 1996年02月23日
公開日（公表日）： 1996年11月12日
要約：
【要約】【課題】 DSA構造のメモリセルトランジスタの読み出し及び書き換え動作が安定して行えるようにする。【解決手段】 メモリセル22のチャネル領域となるP型のチャネル拡散層17bが、フィールド酸化膜5b下に形成されたP型不純物拡散層及びP型コンタクト拡散層と連続的に形成されており、このP型コンタクト拡散層が電位制御回路51と接続されたチャネル用金属配線27とコンタクト孔25cにおいて接続されている。【効果】 チャネル拡散層17bの電位を制御できるようになって、メモリセル22のしきい値電圧がばらつくことがなくなる。
請求項（抜粋）：
半導体基板と、前記半導体基板上に形成されたトランジスタにして、前記基板の表面の所定領域上に形成されたゲート構造と、前記半導体基板の表面の前記ゲート構造の両側に、互いに離隔して形成された第1の導電型の一対の不純物拡散層と、前記一対の不純物拡散層の少なくとも一方を囲むように形成され、前記半導体基板の表面の所定領域に達する終端部をもち、該トランジスタのチャネル領域を形成する前記第1の導電型と異なる第2の導電型の第2の不純物拡散層とをもった前記トランジスタと、前記第2の不純物拡散層に電気的に接続され、かつ外部よりアクセス可能に形成された導電層とを具備することを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。
IPC (7件)：
H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792 ,  G11C 16/02 ,  G11C 16/04 ,  H01L 27/115 ,  H01L 29/78
FI (4件)：
H01L 29/78 371 ,  G11C 17/00 307 D ,  H01L 27/10 434 ,  H01L 29/78 301 D
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (7件)
  • 特開昭54-156483
  • 特開昭54-156483
  • 不揮発性メモリセルおよびその製造方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-312037   出願人：テキサスインスツルメンツインコーポレイテツド
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