特許
J-GLOBAL ID：200903032604973346
半導体のエッチング方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
佐藤 強
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-241682
公開番号（公開出願番号）：特開平11-135489
出願日： 1998年08月27日
公開日（公表日）： 1999年05月21日
要約：
【要約】【課題】 トレンチ角度を90°に近く且つばらつきを低減することで、アスペクト比が10以上のトレンチを形成可能とする。【解決手段】 RIE装置でドライエッチングを行なう場合に、エッチングガスとして、HBrガス,He,O2 ガス,SF6 ガスおよびSiF4 ガスの流量を所定比率で混合したものを用いる。このとき、HBrガスを80〜150SCCM程度まで高めてイオンエッチング効果を高めると共に、He,O2 ガス/SF6 ガスの混合比を高めてもエッチング角度の低下が起こらないようにしてマスクとしての酸化膜に対する選択比を高くする。これにより、アスペクト比が10以上のトレンチを精度良く形成することができる。
請求項（抜粋）：
半導体基板にトレンチを形成するためのトレンチエッチングを酸化膜をマスクとしてドライエッチング法を用いて行なうようにした半導体のエッチング方法において、前記ドライエッチング法で用いるエッチングガスとして、少なくとも臭素(Br)系ガスと、フッ素(F)系ガスと、酸素(O2)系ガスとを混合したものを用いると共に、このうち、エッチングの方向性の高い臭素系ガスの混合比を高めたエッチングガスを用いて行ない、前記半導体基板の表面に対する前記トレンチの側壁の傾斜角度であるトレンチ角度を90°以下で且つ90°に近い角度となるように形成することを特徴とする半導体のエッチング方法。
IPC (2件)：
FI (3件)：
H01L 21/302 M
, C23F 4/00 E
, H01L 21/302 F
