半導体装置及びその形成方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：大塚康徳 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-241310
公開番号（公開出願番号）：特開2002-118170
出願日： 2001年08月08日
公開日（公表日）： 2002年04月19日
要約：

【要約】【課題】半導体装置の金属ビアコンタクト及びその形成方法を提供する。【解決手段】本発明は、基板に1絶縁膜、SOG低誘電膜、第2誘電膜及びシリコン酸化窒化膜を順次に積層する段階と、フォトレジストビアパターンを形成する段階と、ビアパターンをエッチングマスクとしてシリコン酸化窒化膜及び第2絶縁膜の一部を湿式エッチングする段階と、ビアパターンをエッチングマスクとして異方性乾式エッチングを実施して基板の上面を露出させるビアホールを形成する段階と、フォトレジストビアパターンを除去する段階と、フォトレジストビアパターンを除去した基板に対して高周波エッチングを実施してビアホールの逆傾斜部分を除去する段階、逆傾斜を除去したビアホールに金属プラグを形成する段階とを含む。

請求項（抜粋）：

基板の上に第1絶縁膜、SOG低誘電膜、第2誘電膜、シリコン酸化窒化膜の4層構造を有する層間絶縁膜と、前記層間絶縁膜にスパッタリングによって形成された、上部は広く、下部は狭い金属ビアコンタクトと、を含むことを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 21/768 , H01L 21/28 , H01L 21/316

FI (5件)：

H01L 21/28 V , H01L 21/316 G , H01L 21/316 M , H01L 21/90 A , H01L 21/90 M

Fターム (84件)：

4M104BB02 , 4M104BB14 , 4M104CC01 , 4M104DD08 , 4M104DD09 , 4M104DD11 , 4M104DD12 , 4M104DD16 , 4M104DD18 , 4M104DD19 , 4M104DD22 , 4M104DD37 , 4M104DD71 , 4M104DD78 , 4M104EE08 , 4M104EE12 , 4M104EE14 , 4M104EE15 , 4M104EE17 , 4M104FF17 , 4M104FF18 , 4M104FF22 , 4M104HH13 , 4M104HH14 , 4M104HH15 , 4M104HH20 , 5F033HH08 , 5F033HH09 , 5F033HH18 , 5F033HH33 , 5F033JJ01 , 5F033JJ08 , 5F033JJ09 , 5F033JJ18 , 5F033JJ34 , 5F033KK08 , 5F033KK09 , 5F033MM08 , 5F033MM13 , 5F033NN06 , 5F033NN07 , 5F033PP15 , 5F033QQ04 , 5F033QQ09 , 5F033QQ10 , 5F033QQ13 , 5F033QQ14 , 5F033QQ16 , 5F033QQ19 , 5F033QQ22 , 5F033QQ28 , 5F033QQ33 , 5F033QQ34 , 5F033QQ37 , 5F033QQ73 , 5F033QQ75 , 5F033QQ84 , 5F033QQ92 , 5F033RR04 , 5F033RR08 , 5F033RR09 , 5F033RR11 , 5F033SS04 , 5F033SS15 , 5F033SS22 , 5F033TT02 , 5F033XX00 , 5F033XX02 , 5F033XX03 , 5F033XX04 , 5F033XX09 , 5F033XX24 , 5F033XX31 , 5F058BA20 , 5F058BD02 , 5F058BD04 , 5F058BD07 , 5F058BD15 , 5F058BF02 , 5F058BF25 , 5F058BF46 , 5F058BH01 , 5F058BH13 , 5F058BJ02

引用特許：

審査官引用 (2件)

平坦な誘電体層の形成方法および多層配線パターン
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-297021 出願人：テキサスインスツルメンツインコーポレイテツド
半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-055276 出願人：富士通株式会社

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