特許
J-GLOBAL ID：200903054506470070
半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
岡本 啓三
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-055276
公開番号（公開出願番号）：特開平10-256367
出願日： 1997年03月10日
公開日（公表日）： 1998年09月25日
要約：
【要約】【課題】多層配線を有する半導体装置の上層配線とのコンタクトをとるコンタクトホールの形成方法に関し、クラック耐性の向上、及びブランケットW膜との密着性向上を保持し、かつ庇等のない正常なコンタクトホールを形成する。【解決手段】基板上に熱CVD法により第1の絶縁膜15を形成する工程と、等方性エッチングに用いるエッチャントに対して第1の絶縁膜15のエッチングレートと等しいか、それよりも高いエッチングレートを有する第2の絶縁膜16を第1の絶縁膜15の上にプラズマCVD法により形成する工程と、第2の絶縁膜16上に形成された耐エッチング性マスクRの開口部を通してエッチャントを用いた等方性エッチングにより第2の絶縁膜16及び第1の絶縁膜15をエッチングする工程とを有する。
請求項（抜粋）：
基板上に熱CVD法により第1の絶縁膜を形成する工程と、等方性エッチングに用いるエッチャントに対して前記第1の絶縁膜のエッチングレートと等しいか、それよりも高いエッチングレートを有する第2の絶縁膜を前記第1の絶縁膜の上にプラズマCVD法により形成する工程と、前記第2の絶縁膜上に形成された耐エッチング性マスクの開口部を通して前記エッチャントを用いた等方性エッチングにより前記第2の絶縁膜及び前記第1の絶縁膜をエッチングして開口部を形成する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 21/768
, H01L 21/3065
, H01L 21/316
H01L 21/90 B
, H01L 21/316 P
, H01L 21/302 M
