特許
J-GLOBAL ID：200903032641187547
窒化物半導体の成長方法
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-052993
公開番号（公開出願番号）：特開平11-191533
出願日： 1998年03月05日
公開日（公表日）： 1999年07月13日
要約：
【要約】【目的】 基板となるような結晶性の良い窒化物半導体の成長方法を提供する。【構成】 窒化物半導体と異なる材料よりなる保護膜を、第1の基板表面に選択的に形成する第1の工程と、該保護膜上部に組成の異なる窒化物半導体層を少なくとも2層以上成長させて多層膜を形成する第2の工程と、その多層膜上部に第2の基板となる窒化物半導体層を成長させる第3の工程とを具備する。選択成長では、第2の工程において、窓部に形成する多層膜は、平坦な窒化物半導体面が得られやすい傾向にあるので、その上に第2の基板となる窒化物半導体を成長させると、平坦で結晶性の良い基板が作製できる。
請求項（抜粋）：
窒化物半導体と異なる材料よりなる保護膜を、第1の基板表面に選択的に形成する第1の工程と、該保護膜上部に組成の異なる窒化物半導体層を少なくとも2層以上成長させて多層膜を形成する第2の工程と、その多層膜上部に第2の基板となる窒化物半導体層を成長させる第3の工程とを具備することを特徴とする窒化物半導体の成長方法。
引用特許：
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