特許

J-GLOBAL ID：200903032653042862

半導体装置およびその作製方法

発明者： 北角 英人 ,  早川 昌彦 ,  山崎 舜平 ,  浅見 勇臣
出願人/特許権者： 株式会社半導体エネルギー研究所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-130314
公開番号（公開出願番号）：特開2001-015764
出願日： 2000年04月28日
公開日（公表日）： 2001年01月19日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】 アルカリ金属元素を含むガラスを基板とするTFTの電気特性のばらつきをなくし、信頼性の高い製造方法を提供する。【解決手段】 基板ガラス101のバックチャネル側に、SiH4、NH3、N2Oから作製される酸化窒化シリコン膜102aと、SiH4、N2Oから作製される酸化窒化シリコン膜102bとをそれぞれ酸素濃度、窒素濃度、水素濃度及び組成比を適切にして積層させたブロッキング層102を設け、基板からのアルカリ金属元素の汚染を防止する。また島状半導体層104、105aを形成して活性層とし、マスク107、及び108によって、p型及びn型の適切な濃度の不純物を注入して、しきい値電圧を制御できるチャネルを形成する。

請求項（抜粋）：

基板上にTFTを設けた半導体装置であって、前記基板に密接して形成した酸化窒化シリコン膜(A)と、該酸化窒化シリコン膜(A)に密接して形成した酸化窒化シリコン膜(B)と、該酸化窒化シリコン膜(B)上に形成した半導体層とを有し、前記酸化窒化シリコン膜(A)の酸素に対する窒素の組成比は0.6以上1.5以下であり、前記酸化窒化シリコン膜(B)の酸素に対する窒素の組成比は0.01以上0.4以下であることを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 29/786 ,  G02F 1/1368 ,  G09F 9/30 338

FI (4件)：

H01L 29/78 626 C ,  G09F 9/30 338 ,  G02F 1/136 500 ,  H01L 29/78 612 B

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 半導体装置およびその作製方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-344495   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
• 特開平3-179778