半導体装置およびその作製方法

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-344495
公開番号（公開出願番号）：特開平9-162405
出願日： 1995年12月04日
公開日（公表日）： 1997年06月20日
要約：

【要約】【目的】信頼性の高いTFTの作製方法を提供する。【構成】ゲイト絶縁型電解効果半導体装置において、チャネル形成領域をSiOx Ny からなる薄膜によって囲み、ガラス基板や大気からの不純物の拡散を防止する。こうすることで、BT試験のような加速試験においても高い信頼性が得られる。

請求項（抜粋）：

絶縁ゲイト型電界効果半導体装置であって、絶縁表面を有するガラス基板上に形成された絶縁性薄膜を有し、ガラスに接した前記絶縁性薄膜はSiOX Ny で示される薄膜であることを特徴とする半導体装置。

引用特許：

審査官引用 (11件)

全件表示

前のページに戻る