特許
J-GLOBAL ID:200903032654532928
グラファイト層間化合物及びその製造方法及び電気配線及び半導体装置
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
則近 憲佑
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平6-025801
公開番号(公開出願番号):特開平7-238000
出願日: 1994年02月24日
公開日(公表日): 1995年09月12日
要約:
【要約】【構成】本発明は基板上にグラファイトの単原子層を形成する工程と;このグラファイトの単原子層上に遷移金属の単原子層を積層する工程とを繰り返すことにより得られる、グラファイトの単原子層が遷移金属の単原子層を介して積層されたことを特徴とするグラファイト層間化合物である。【効果】室温,大気中で安定であり、高い電気伝導度を示す。
請求項(抜粋):
グラファイト層間に遷移金属層が挿入されたことを特徴とするグラファイト層間化合物。
IPC (3件):
C30B 29/68
, C01B 31/04 101
, C04B 35/52
引用特許:
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