特許

J-GLOBAL ID：200903032659338410

アモルフアス強誘電体酸化物材料及びその製造方法

発明者： 藤井 壽崇 ,  加島 篤 ,  藤井 一宏 ,  岡本 巌 ,  二井 裕之
出願人/特許権者： 宇部興産株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-197286
公開番号（公開出願番号）：特開平5-017136
出願日： 1991年07月12日
公開日（公表日）： 1993年01月26日
要約：

【要約】【目的】 本発明は、薄膜型のコンデンサー素子、強誘電体メモリー、電気光学デバイス等に適用しうる非晶質(アモルファス)の強誘電性材料及びその製造方法を提供する。【構成】 遷移金属酸化物(M2 O3 )-酸化ビスマス(Bi2 O3 )-LiNbO3 型化合物(ABO3 )を主成分とした三元酸化物からなり、かつ該三元酸化物がアモルファス構造を有することを特徴とする。(ただし、M2 O3 は、Sc、Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Y、Zr、Nb、Mo、Pd、Hf、Ta、W、In及びランタン系列元素の酸化物からなる群から選ばれる少なくとも一種であり、ABO3 は強誘電性、反強誘電性または常誘電性を示すLiNbO3 型化合物である。)

請求項（抜粋）：

遷移金属酸化物(M2 O3 )-酸化ビスマス(Bi2 O3 )-LiNbO3 型化合物(ABO3 )を主成分とした三元酸化物からなり、かつ該三元酸化物がアモルファス構造を有することを特徴とするアモルファス強誘電体酸化物材料。(ただし、M2 O3 は、Sc、Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Y、Zr、Nb、Mo、Pd、Hf、Ta、W、In及びランタン系列元素の酸化物からなる群から選ばれる少なくとも一種であり、ABO3 は強誘電性を示すLiNbO3 型化合物である。)

IPC (6件)：

C01G 1/02 ,  C01G 33/00 ,  C01G 49/00 ,  C01G 55/00 ,  H01B 3/12 313 ,  H01G 7/06