特許
J-GLOBAL ID：200903032669941565
半導体基板処理装置及び方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
伊東 忠彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-031612
公開番号（公開出願番号）：特開平7-240458
出願日： 1994年03月01日
公開日（公表日）： 1995年09月12日
要約：
【要約】【目的】 本発明はウェハを処理する装置に関し、生産性を損なわずに、ウェハ離脱時に発生することがある放電に起因する歩留りの低下を抑えることを目的とする。【構成】 真空チャンバ11内にウェハ18を固定する静電チャックステージ12及びプラズマを発生させる電極13,14を有する。装置40は、ウェハ18をステージ12より浮き上げて離脱させるときにウェハ18とステージ12との間で発生することがある放電を感知する装置41を有する。放電感知装置41は、アンテナ45と電圧計46とを有する。放電感知装置41が放電を感知したときだけに、次にプラズマエッチングされたウェハ18を除電するように構成する。
請求項（抜粋）：
ステージ上に固定された半導体基板に処理を行う半導体基板処理装置において、プラズマ処理を終えた上記半導体基板を上記ステージから離脱させるときに発生することがある放電を感知する放電感知手段を有する構成としたことを特徴とする半導体基板処理装置。
IPC (3件)：
H01L 21/68
, H01L 21/3065
, B23Q 17/00
