特許
J-GLOBAL ID：200903032678873416

半導体装置及びその製造方法

発明者：
奥島 基嗣

奥島 基嗣 について


出願人/特許権者：
日本電気株式会社

日本電気株式会社 について


代理人 (1件)： 渡辺 勝 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-005535
公開番号（公開出願番号）：特開2000-208525
出願日： 1999年01月12日
公開日（公表日）： 2000年07月28日
要約：
【要約】【課題】 本発明の目的は、水素バリア性を有する膜を貫通し、層間を電気的に接続するコンタクト構造及び埋め込み金属配線構造を有する半導体装置において、水素が半導体装置の内部に到達可能な水素拡散経路を確保し、フォーミングガスによる効果的なアニーリングが可能となる半導体装置および半導体装置の製造方法を提供することにある。【解決手段】 水素バリア性を有する膜105を貫通し、層間を電気的に接続するコンタクト103及び埋め込み金属配線106を有する半導体装置であって、金属配線直下の部分以外の領域において、開口104が設けられており、第2の絶縁膜102の下層への水素拡散経路が設けられている。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に形成された素子または配線を被覆する第1の絶縁膜と、前記第1の絶縁膜を貫通し、前記素子または前記配線と電気接続するコンタクトプラグと、前記第1の絶縁膜上に形成された第2の絶縁膜と、前記第2の絶縁膜に埋め込まれ、前記コンタクトプラグと電気接続する金属配線とを有する半導体装置であって、水素バリア性を有する膜が、少なくとも、前記金属配線の直下であって前記金属配線と前記第1の絶縁膜の間の領域に形成され、かつ前記領域以外の領域において、水素バリア性を有する膜に開口が設けられており、前記第2の絶縁膜の下層への水素拡散経路が確保されていることを特徴とする半導体装置。
IPC (6件)：
H01L 21/324 ,  H01L 21/318 ,  H01L 21/3205 ,  H01L 21/768 ,  H01L 29/78 ,  H01L 21/336
FI (6件)：
H01L 21/324 Z ,  H01L 21/318 C ,  H01L 21/318 B ,  H01L 21/88 K ,  H01L 21/90 K ,  H01L 29/78 301 Y
Fターム (65件)：
5F033HH08 ,  5F033HH11 ,  5F033HH12 ,  5F033HH19 ,  5F033HH21 ,  5F033HH32 ,  5F033HH33 ,  5F033HH34 ,  5F033JJ11 ,  5F033JJ12 ,  5F033JJ19 ,  5F033KK08 ,  5F033KK11 ,  5F033KK12 ,  5F033KK19 ,  5F033KK25 ,  5F033KK27 ,  5F033KK28 ,  5F033MM02 ,  5F033MM05 ,  5F033MM13 ,  5F033NN06 ,  5F033NN07 ,  5F033NN38 ,  5F033QQ08 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ10 ,  5F033QQ23 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ48 ,  5F033QQ71 ,  5F033QQ73 ,  5F033QQ81 ,  5F033RR04 ,  5F033RR06 ,  5F033RR08 ,  5F033RR09 ,  5F033RR11 ,  5F033RR14 ,  5F033RR15 ,  5F033SS11 ,  5F033WW02 ,  5F033XX00 ,  5F040DA00 ,  5F040DB01 ,  5F040EC01 ,  5F040EC13 ,  5F040EH02 ,  5F040EJ02 ,  5F040EJ03 ,  5F040EK01 ,  5F040EL01 ,  5F040EL06 ,  5F040FA03 ,  5F040FC22 ,  5F058BA20 ,  5F058BB04 ,  5F058BB05 ,  5F058BC08 ,  5F058BC11 ,  5F058BF02 ,  5F058BH01 ,  5F058BJ01 ,  5F058BJ02 ,  5F058BJ05
引用特許：
出願人引用 (9件)
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審査官引用 (1件)

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