高抵抗炭化ケイ素層の形成方法および炭化ケイ素半導体装置

発明者： , , ,
出願人/特許権者： , ,
代理人 (1件)：福島祥人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-115878
公開番号（公開出願番号）：特開平9-301799
出願日： 1996年05月10日
公開日（公表日）： 1997年11月25日
要約：

【要約】【課題】短時間かつ低コストで高抵抗炭化ケイ素層を形成する方法および高抵抗炭化ケイ素層を用いた炭化ケイ素半導体装置を提供することである。【解決手段】 SiC基板21上にBまたはAlが添加されたp型エピタキシャル層を形成する。p型エピタキシャル成長層にn+ -層23,24を所定間隔を隔てて形成するとともにp+ -層26,27を所定間隔を隔てて形成し、p+ -26,27間の領域にn-層28を形成する。n+ -層23,24間の領域はp-層25となる。これらの層23〜28の周囲のエピタキシャル成長層にV+ の注入によりV+ 注入SiC層22を形成する。V+ の注入ドーズ量は、初期のp型エピタキシャル成長層の結晶中に存在するキャリア密度を補償するのに十分な量とする。

請求項（抜粋）：

炭化ケイ素にその炭化ケイ素のキャリア密度と同程度またはそれ以上の密度で遷移金属を添加することにより、前記炭化ケイ素中に高抵抗層を形成することを特徴とする高抵抗炭化ケイ素層の形成方法。

IPC (8件)：

C30B 29/36 , C30B 23/02 , H01L 21/20 , H01L 21/205 , H01L 21/265 , H01L 29/872 , H01L 29/78 , H01L 29/861

FI (9件)：

C30B 29/36 A , C30B 23/02 , H01L 21/20 , H01L 21/205 , H01L 21/265 J , H01L 29/48 D , H01L 29/78 301 H , H01L 29/78 301 B , H01L 29/91 F

引用特許：

出願人引用 (2件)

高低抗炭化ケイ素の製法
公報種別：公表公報出願番号：特願平7-505534 出願人：ダイムラー-ベンツアクチエンゲゼルシャフト, フラウンホーファー-ゲゼルシャフトツルフェルデルングデルアンゲヴァンテンフォルシュングエー.ファウ.
特開平2-291123

審査官引用 (3件)

高低抗炭化ケイ素の製法
公報種別：公表公報出願番号：特願平7-505534 出願人：ダイムラー-ベンツアクチエンゲゼルシャフト, フラウンホーファー-ゲゼルシャフトツルフェルデルングデルアンゲヴァンテンフォルシュングエー.ファウ.
特開平2-291123
特開平2-291123

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