特許
J-GLOBAL ID：200903032720710948
窒化物半導体発光素子
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
豊栖 康弘 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-331040
公開番号（公開出願番号）：特開平11-150302
出願日： 1997年11月14日
公開日（公表日）： 1999年06月02日
要約：
【要約】【課題】 効率よく生産することができる電力効率のよい窒化物半導体発光素子を提供する。【解決手段】 基板上に発光層を含む1又は2以上の窒化ガリウム系半導体層を介して形成されたp型窒化ガリウム系半導体層と、透光性を有しかつp型窒化ガリウム系半導体層とオーミック接触する第1正電極と、第1正電極上の一部に形成された第2正電極とを備えた窒化物半導体発光素子であって、第2正電極は、W、Mo、Cr、Ti及びNiからなる群から選ばれた少なくとも1つを主成分として第1正電極に接するように形成された第1層と、該第1層上に形成されたAu又はPtを主成分として形成された第2層とを含む積層体が熱処理されてなり、第2正電極の直下の発光層における発光を抑制した。
請求項（抜粋）：
基板上に発光層を含む1又は2以上の窒化ガリウム系半導体層を介して形成されたp型窒化ガリウム系半導体層と、透光性を有しかつ上記p型窒化ガリウム系半導体層とオーミック接触する第1正電極と、上記第1正電極上の一部に形成された第2正電極とを備えた窒化物半導体発光素子であって、上記第2正電極は、W、Mo、Cr、Ti及びNiからなる群から選ばれた少なくとも1つを主成分として上記第1正電極に接するように形成された第1層と、該第1層上に形成されたAu又はPtを主成分として形成された第2層とを含む積層体が熱処理されてなり、上記第2正電極の直下の発光層における発光を抑制したことを特徴とする窒化物半導体発光素子。
IPC (3件)：
H01L 33/00
, H01L 29/43
, H01S 3/18
H01L 33/00 C
, H01S 3/18
, H01L 29/46 Z
