3族窒化物化合物半導体発光素子

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：藤谷修
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-099095
公開番号（公開出願番号）：特開平9-266327
出願日： 1996年03月27日
公開日（公表日）： 1997年10月07日
要約：

【要約】【課題】青色発光素子の発光強度の増加及び素子寿命の長期化【解決手段】p伝導型のクラッド層61とn+ 層3との間に発光層5が形成されている。発光層5とn+ 層3との間にそれらの格子不整合を緩和する中間層4が形成されている。中間層4の存在により発光層5の結晶性が改善され、発光強度が増加した。

請求項（抜粋）：

3族窒化物半導体から成る発光層と発光層に接合するn層とp層とを有する発光素子において、前記発光層と前記n層との間に、前記発光層と前記n層との間の格子定数の変化を緩和する組成比のn伝導型の中間層を設けたことを特徴とする3族窒化物化合物半導体発光素子。

IPC (2件)：

H01L 33/00 , H01L 29/06

FI (2件)：

H01L 33/00 C , H01L 29/06

引用特許：

審査官引用 (7件)

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