セルフスパッタリング方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：長谷川芳樹 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-310641
公開番号（公開出願番号）：特開2000-144412
出願日： 1998年10月30日
公開日（公表日）： 2000年05月26日
要約：

【要約】【課題】セルフスパッタリングへ安定して移行可能なセルフスパッタリング方法を提供する。【解決手段】真空チャンバ12内に配置されたターゲット16からの被スパッタリング粒子によってターゲット16からの被スパッタリング粒子が生成されるセルフスパッタリング方法であって、真空チャンバ12内にプロセスガスを供給する供給工程と、ターゲット16のエロージョン面16aの近傍領域においてプロセスガスをプラズマ化するプラズマ工程と、エロージョン面16aと略直交する基準軸に沿った磁場Bをエロージョン面16aの近傍とは異なる真空チャンバ内12の領域に発生する磁場発生工程と、を備える。プロセスガスをプラズマ化と、被スパッタリング粒子のイオン化を時間的および空間的に分離して行うようにした。

請求項（抜粋）：

真空チャンバ内に配置されたターゲットからスパッタリングされた粒子によって前記ターゲットからスパッタリングされる粒子が生成されるセルフスパッタリング方法であって、前記真空チャンバ内にプロセスガスを供給する供給工程と、前記ターゲットのエロージョン面の近傍領域において前記プロセスガスをプラズマ化するプラズマ工程と、前記ターゲットの前記エロージョン面と略直交する基準軸に沿った磁場を前記エロージョン面の近傍とは異なる前記真空チャンバ内の領域に発生する磁場発生工程と、を備えるセルフスパッタリング方法。

IPC (3件)：

C23C 14/35 , H01L 21/203 , H01L 21/285

FI (3件)：

C23C 14/35 C , H01L 21/203 S , H01L 21/285 S

Fターム (17件)：

4K029AA29 , 4K029BA08 , 4K029BD02 , 4K029CA05 , 4K029DC27 , 4K029DC40 , 4K029DC45 , 4K029EA01 , 4K029EA06 , 4M104BB04 , 4M104DD39 , 5F103AA08 , 5F103BB14 , 5F103BB22 , 5F103BB59 , 5F103DD28 , 5F103NN05

引用特許：

出願人引用 (2件)

特開昭50-028485
スパッタリング装置および成膜方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-310639 出願人：アプライドマテリアルズインコーポレイテッド

審査官引用 (4件)

特開昭50-028485
特開昭50-028485
特開昭50-028485

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