特許
J-GLOBAL ID：200903048846646726

スパッタリング装置および成膜方法

発明者：
和田 優一

和田 優一 について


出願人/特許権者：
アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド

アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド について


代理人 (1件)： 長谷川 芳樹 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-310639
公開番号（公開出願番号）：特開2000-144411
出願日： 1998年10月30日
公開日（公表日）： 2000年05月26日
要約：
【要約】【課題】 セルフスパッタリングを安定に生じさせるために適切な磁場を発生可能なスパッタリング装置および成膜方法を提供する。【解決手段】 真空チャンバ12と、真空チャンバ12内において基板15を支持するためのペディスタル18と、ペディスタル18によって支持される基板15にエロージョン面16aが対面するように設けられたターゲット16と、真空チャンバ12内にプロセスガスを供給するためのガス供給手段22と、供給されたプロセスガスをプラズマ化するためのプラズマ化手段と、真空チャンバ12を減圧するための減圧手段21と、エロージョン面16aとは反対の側に配置されたマグネトロンユニット30と、エロージョン面16aと基板15の表面とを結ぶ基準軸の周りに導線が巻き回されたコイル27とを備える。磁場により被スパッタリング粒子のイオン化が促進されセルフスパッタリングが安定して起こる。
請求項（抜粋）：
真空チャンバと、前記真空チャンバ内において基板を支持するための支持手段と、前記支持手段によって支持される基板にエロージョン面が対面するように設けられたターゲットと、前記真空チャンバ内にプロセスガスを供給するためのガス供給手段と、前記真空チャンバ内に供給されたプロセスガスをプラズマ化するためのプラズマ化手段と、前記真空チャンバを減圧するための減圧手段と、前記ターゲットの前記エロージョン面とは、反対の側に配置されたマグネトロンユニットと、を備えるスパッタリング装置であって、前記ターゲットのエロージョン面と前記支持手段によって支持される基板の表面とを結ぶ基準軸の周りに、2つの端部を有する導線が巻き回されたコイルと、を備えるスパッタリング装置。
IPC (3件)：
C23C 14/35 ,  H01L 21/203 ,  H01L 21/285
FI (3件)：
C23C 14/35 C ,  H01L 21/203 S ,  H01L 21/285 S
Fターム (11件)：
4K029BD02 ,  4K029DC33 ,  4K029DC45 ,  4K029EA09 ,  4M104BB04 ,  5F103AA08 ,  5F103BB14 ,  5F103BB22 ,  5F103BB59 ,  5F103DD28 ,  5F103NN05
引用特許：
審査官引用 (7件)
  • マグネトロンスパッタリング方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-205076   出願人：インスティテュートオブフィジクスオブジアカデミーオブサイエンスィズオブザチェッコリパブリック
  • 特開昭50-028485
  • 特開昭50-028485
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