特許

J-GLOBAL ID：200903032752975447

化学気相成長による金属薄膜形成方法

発明者： 泉 宏比古
出願人/特許権者： 新日本製鐵株式会社
代理人 (1件)： 八田 幹雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-182518
公開番号（公開出願番号）：特開平6-089873
出願日： 1993年07月23日
公開日（公表日）： 1994年03月29日
要約：

【要約】【目的】 膜中にシリコン等の不純物の混入のない低抵抗、低残留応力の金属薄膜を形成し、基体の浸蝕を防止して、漏洩電流を抑え、膜表面の平坦性を向上させる。【構成】 原料ガスと還元性ガスを交互に不連続的に基体上に導入するCVDによる金属薄膜形成方法。また、還元性ガスの導入時、励起手段を用いて還元性ガスの励起種を生成し、この励起種を基体上に吸着した原料ガスの分解に用いるCVDによる金属薄膜形成方法。

請求項（抜粋）：

化学気相成長法により金属薄膜を基体上に形成する方法において、原料ガスと還元性ガスを交互に不連続的に基体上に導入して、一定温度で化学気相成長を行い、この化学気相成長を繰り返し行うことにより所要の膜厚の金属薄膜を基体上に形成することを特徴とする化学気相成長による金属薄膜形成方法。

IPC (3件)：

H01L 21/285 ,  C23C 16/44 ,  H01L 21/205

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 金属薄膜の堆積法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-206231   出願人：日本電気株式会社