特許

J-GLOBAL ID：200903032769532875

ヘテロ接合電界効果トランジスタ

発明者： 中野 晴夫
出願人/特許権者： 三洋電機株式会社
代理人 (1件)： 河野 登夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-354997
公開番号（公開出願番号）：特開平5-175246
出願日： 1991年12月19日
公開日（公表日）： 1993年07月13日
要約：

【要約】【目的】 チャネル層を擬量子細線化することにより、キャリア移動度を高めたヘテロ接合電界効果トランジスタを提供する。【構成】 チャネル層を有するヘテロ接合電界効果トランジスタにおいて、チャネル層(GaAs層)3より禁止帯幅が狭い格子状の半導体層(InAs層)7を、キャリアの基底状態での存在確率が最大であり第1励起状態での存在確率が零であるようなチャネル層内の位置近傍に挿入する。半導体層(InAs層)7の並設方向におけるキャリア移動度が大きい。

請求項（抜粋）：

チャネル層を有するヘテロ接合電界効果トランジスタにおいて、前記チャネル層より禁止帯幅が狭い格子状の半導体層を、キャリアの存在確率が基底状態では高く第1励起状態では低いような前記チャネル層内の位置に設けてあることを特徴とするヘテロ接合電界効果トランジスタ。

IPC (4件)：

H01L 21/338 ,  H01L 29/812 ,  H01L 29/203 ,  H01L 29/804

FI (2件)：

H01L 29/80 H ,  H01L 29/80 A

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平2-017648
  
• 特開平3-062528
  
• 細線形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-323927   出願人：三菱電機株式会社