特許
J-GLOBAL ID：200903032779543425
半導体量子ドット構造及びその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
光石 俊郎
, 田中 康幸
, 松元 洋
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-045172
公開番号（公開出願番号）：特開2006-237045
出願日： 2005年02月22日
公開日（公表日）： 2006年09月07日
要約：
【課題】 従来の半導体量子ドットに対し、より製造可能な発光或いは受光波長範囲が広く、かつ、より欠陥が少なく光学特性に優れ、作成上の制約も少ない半導体量子ドットを均一性、再現性良く作成する。【解決手段】 半導体基板101上に量子ドット105が形成される構造において、量子ドット105が、少なくとも2種類の、組成或いは構成元素の少なくとも一部が異なる半導体材料により構成され、自己組織化量子ドットからなる第一領域105aと、薄膜層106の成長中に第一領域105aによる歪場に誘起された組成変調によって第一領域105a上に選択的に形成された第二領域105bとを有し、更に量子ドット105を構成する少なくとも1種類の半導体材料中にビスマスまたはアンチモン、或いはその双方が添加される半導体量子ドット構造及びその製造方法とした。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
半導体基板上に半導体量子ドットが形成される構造において、前記半導体量子ドットが、少なくとも2種類の、組成或いは構成元素の少なくとも一部が異なる半導体材料から構成され、少なくとも1種類の前記半導体材料中にビスマスまたはアンチモン、或いはその双方が添加されていることを特徴とする半導体量子ドット構造。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (5件)：
5F173AF09
, 5F173AF15
, 5F173AH04
, 5F173AH14
, 5F173AP06
