特許
J-GLOBAL ID：200903032827766750
化学機械的研磨装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
志賀 正武 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-108290
公開番号（公開出願番号）：特開2000-311875
出願日： 2000年04月10日
公開日（公表日）： 2000年11月07日
要約：
【要約】【課題】 ウェーハ上のマイクロスクラッチ現象を抑制するためのクリーニング流体管を含む化学機械的研磨装置を提供する。【解決手段】 化学機械的研磨装置は研磨パッド140、ウェーハキャリア220、第1リング270、第2リング280及び洗浄液供給管281を含む。研磨パッド140は回転自在に設けられ、半導体ウェーハ210の表面が接触される。ウェーハキャリア220は半導体ウェーハ210を吸着する。第1リング270は半導体ウェーハ210及びウェーハキャリア220の縁部を取囲み、半導体ウェーハ210の離脱を抑制する。第2リング280は所定の間隙を介在して第1リング270の周りを取囲むが、複数個のホールが形成されており、研磨工程中に底面が研磨パッドの一部と接触する。洗浄液供給管は複数個のホールのうち少なくとも何れか1つに連結される。
請求項（抜粋）：
回転自在に設けられ、研磨工程中に研磨しようとする半導体ウェーハ表面が接触される研磨パッドと、研磨しようとする半導体ウェーハの表面を前記研磨パッドの表面方向に向かうように前記半導体ウェーハを吸着するウェーハキャリアと、前記半導体ウェーハ及び前記ウェーハキャリアの縁部を取囲んで研磨工程中に前記半導体ウェーハ及び前記ウェーハキャリアと共に回転しながら前記半導体ウェーハの離脱を抑制する第1リングと、所定の間隙を介在して前記第1リングの周りを取囲むが、外面と内面との間を貫通する複数個のホールが形成されており、研磨工程中に底面が前記研磨パッドの一部と接触して前記半導体ウェーハの縁部の研磨プロファイルを向上させるための第2リングと、前記ホールと、前記第1及び第2リングの間の間隙に洗浄液を供給可能に前記第2リングの複数個のホールのうち少なくとも何れか一つに連結された洗浄液供給管を含むことを特徴とする化学機械的研磨装置。
IPC (4件)：
H01L 21/304 622
, H01L 21/304
, B24B 37/00
, B24B 37/04
H01L 21/304 622 G
, H01L 21/304 622 M
, B24B 37/00 A
, B24B 37/04 E
