特許
J-GLOBAL ID：200903032837263586
窒化鉄磁性薄膜含有積層体とその製法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
友松 英爾
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-132005
公開番号（公開出願番号）：特開平5-326261
出願日： 1991年05月08日
公開日（公表日）： 1993年12月10日
要約：
【要約】【目的】 低い基板温度で能率よく、窒素マルテンサイト相やα′′Fe16N2が形成されている窒化鉄磁性薄膜を製造するとともに、該薄膜がとりわけ酸化されやすいことを発見し、この酸化を防止することにより高品質の窒化鉄薄膜含有積層体とその製法を提供する。【構成】 密閉系において、基板温度が200°C以下の基板上に窒素マルテンサイト相やα′′Fe16N2が形成されている窒化鉄磁性薄膜を形成し、ついでこれを大気中に取り出すことなく、ひきつづいてその上に酸化防止用保護膜を形成することを特徴とする窒化鉄磁性薄膜含有積層体の製法およびそれより得られた前記積層体。
請求項（抜粋）：
基板、その上に形成された窒素マルテンサイト相やα′′Fe16N2が形成されている窒化鉄磁性薄膜、さらにその上に形成された酸化防止用保護膜よりなることを特徴とする窒化鉄磁性薄膜含有積層体。
IPC (5件)：
H01F 10/14
, C23C 14/06
, G11B 5/66
, G11B 5/85
, H01F 41/22
