特許

J-GLOBAL ID：200903032846201496

傾斜チャネル半導体素子およびその製造方法

発明者： ロバ-ト・ビ-・デ-ビス ,  フランク・ケイ・ベ-カ- ,  ジョン・ジェイ・キャンデラリア ,  アンドリアス・エ-・ワイルド ,  ピ-タ-・ジェイ・デベル
出願人/特許権者： モトローラ・インコーポレイテッド
代理人 (1件)： 大貫 進介 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-267673
公開番号（公開出願番号）：特開平9-116154
出願日： 1996年09月19日
公開日（公表日）： 1997年05月02日
要約：

【要約】【課題】 ホット・キャリアの注入、ドレイン漏れ、パンチ・スルー等の問題を解消した傾斜チャネル半導体素子およびその製造方法を提供する。【解決手段】 傾斜チャネル半導体素子(10)は、主面(12)を有する基板領域(11)を含む。基板領域(11)内にソース領域(13)とドレイン領域(14)とを形成し、離間させてチャネル領域(16)を形成する。チャネル領域(16)内にドープ領域(18)を形成し、ソース領域(13)、ドレイン領域(14)、および主面(12)から離間させる。ドープ領域(18)はチャネル領域(16)と同一導電型を有するが、ドーパント濃度はそれよりも高い。素子(10)は、従来技術の短チャネル構造と比較して、パンチ・スルーに対する抵抗力が強化され、性能の向上が見られる。

請求項（抜粋）：

傾斜チャネル半導体素子であって:第1導電型で、第1表面(12)を有する半導体物質本体(11);前記半導体物質本体(11)内に形成され、前記第1表面(12)から延在する、第2導電型の第1ドープ領域(13);前記半導体物質本体(11)内に形成され、前記第1表面(12)から延在する、第2導電型の第2ドープ領域(14);前記第1ドープ領域(13)および第2ドープ領域(14)の間にあるチャネル領域(16);前記チャネル領域(16)内に形成された第1導電型の第3ドープ領域(18)であって、前記第1表面(12)から縦方向に離間され、前記第1ドープ領域(13)および前記第2ドープ領域(14)から縦方向および横方向に離間された、前記第3ドープ領域(18);前記チャネル領域上の前記第1表面上に形成されたゲート構造(19);前記第1ドープ領域(13)に結合された第1電極(21);および前記第2ドープ領域に結合された第2電極(22);から成ることを特徴とする傾斜チャネル半導体素子。

IPC (2件)：

H01L 29/78 ,  H01L 21/336

FI (2件)：

H01L 29/78 301 H ,  H01L 29/78 301 P

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-286957   出願人：三洋電機株式会社
• 特開平2-091972
  
• 特開平2-218165
  
• 特開昭63-241965