特許

J-GLOBAL ID：200903032850282913

容量性素子を有する集積回路

発明者： トーマス エーベン ,  トーマス シュタイネッケ ,  イェンス ローゼンブッシュ
出願人/特許権者： インフィネオン テクノロジース アクチエンゲゼルシャフト
代理人 (1件)： 矢野 敏雄 (外4名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-588808
公開番号（公開出願番号）：特表2002-532903
出願日： 1999年12月01日
公開日（公表日）： 2002年10月02日
要約：

【要約】本発明は、供給電圧を平滑化するための容量性素子を有する集積回路に関する。ここでは少なくとも1つの付加的金属電極がMOSキャパシタに並列に接続される。金属電極は高周波に最適化されたキャパシタとして構成されており、非常に小さい面抵抗を特徴とする。面積的に高効率の、しかしやや高抵抗のMOSキャパシタと、面積的に効率は低い給電電圧に低抵抗に接続された金属キャパシタとの並列回路によって、広帯域のバッファリングとひいては高周波障害信号の減結合が達成される。非常に高周波の障害成分はチップ上で減衰され、集積回路を取り囲むシステムに到達することがない。

請求項（抜粋）：

供給電圧を平滑化するための容量性素子(11,12)と、第1の給電電位(V1)に対する第1の給電路(1)と、第2の給電電位(V2)に対する第2の給電路(2)とを有する集積回路であって、 前記給電路は集積回路に供給電圧を給電し、かつ集積回路の第1の金属層(M1)の構成部分である形式の集積回路において、 少なくとも1つの別の金属層(M2)に少なくとも1つの別の給電路(3)が設けられており、 前記別の金属層(M2)は第1の金属層(M1)の上に配置されており、 前記別の給電路(3)は給電電位(V1,V2)に接続されている、ことを特徴とする集積回路。

IPC (4件)：

H01L 21/822 ,  H01L 21/8234 ,  H01L 27/04 ,  H01L 27/06

FI (3件)：

H01L 27/04 C ,  H01L 27/06 102 A ,  H01L 27/06 D

Fターム (13件)：

5F038AC03 ,  5F038AC05 ,  5F038AC16 ,  5F038AC17 ,  5F038CD02 ,  5F038CD14 ,  5F038EZ20 ,  5F048AA00 ,  5F048AB10 ,  5F048AC03 ,  5F048AC10 ,  5F048BA01 ,  5F048BE04

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 半導体集積回路装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-338398   出願人：株式会社日立製作所, 株式会社日立マイコンシステム