特許

J-GLOBAL ID：200903032859493798

固定層に半金属強磁性体ホイスラー合金を有する交換結合構造の磁気抵抗素子

発明者： マシュー・ジェイ・カリー ,  ジェフリー・アール・チルドレス ,  ステファン・マット
出願人/特許権者： ヒタチグローバルストレージテクノロジーズネザーランドビーブイ
代理人 (2件)： 小川 勝男 ,  木崎 邦彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-026561
公開番号（公開出願番号）：特開2004-260149
出願日： 2004年02月03日
公開日（公表日）： 2004年09月16日
要約：

【課題】100%近いスピン偏極を有する半金属強磁性体ホイスラー合金を含む、交換結合構造を有する磁気抵抗素子の実現が求められている。 【解決手段】非磁性スペーサ120で分離されているピンド強磁性体層118とフリー強磁性体層132を有する磁気抵抗素子であり、ピンド強磁性体層118として100%近いスピン偏極の半金属強磁性体ホイスラー合金を使用する交換結合した反強磁性体層/強磁性体層構造を有している。交換結合構造110は中間強磁性体層116をAF層112とピンド半金属強磁性体ホイラー合金層118の間に有しており、この結果交換バイアスを形成している。交換結合構造110を組み込むことができる磁気抵抗素子には面内電流(CIP)読み出しヘッドと面直交電流(CPP)磁気トンネル接合及び読み出しヘッドがある。交換結合構造110は磁気抵抗素子の非磁性スペーサ層120の上か下に設けられている。【選択図】図2A

請求項（抜粋）：

基板と、 前記基板上にあり、反強磁性材料の層と、半金属強磁性体ホイスラー合金の層と、前記反強磁性材料と前記合金に接触しかつその間に配置された強磁性材料の層と、を有する交換結合構造と、 を有することを特徴とする磁気抵抗素子。

IPC (4件)：

H01L43/08 ,  G11B5/39 ,  H01L27/105 ,  H01L43/10

FI (5件)：

H01L43/08 M ,  H01L43/08 Z ,  G11B5/39 ,  H01L43/10 ,  H01L27/10 447

Fターム (4件)：

5D034BA04 ,  5D034BB20 ,  5F083FZ10 ,  5F083JA31

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 米国特許出願公開第2002/0012812号明細書
  

審査官引用 (2件)

• 磁性薄膜及びそれを用いた磁気抵抗効果素子並びに磁気デバイス
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-271628   出願人：独立行政法人科学技術振興機構
• 磁気抵抗効果素子、及びそれを備える磁気ヘッド並びに磁気記録再生装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-378954   出願人：株式会社日立製作所

引用文献：

審査官引用 (1件)

• "Spin Polarized Tunneling at Room Temperature in a Heusler Compound - A non-oxide Material with a La