特許
J-GLOBAL ID：200903014438767122

磁性薄膜及びそれを用いた磁気抵抗効果素子並びに磁気デバイス

発明者：
猪俣 浩一郎

猪俣 浩一郎 について

, 
手束 展規

手束 展規 について


出願人/特許権者：
独立行政法人 科学技術振興機構

独立行政法人 科学技術振興機構 について


代理人 (1件)： 平山 一幸
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-271628
公開番号（公開出願番号）：特開2004-221526
出願日： 2003年07月07日
公開日（公表日）： 2004年08月05日
要約：
【課題】 スピン分極率の大きい磁性薄膜及びそれを用いた磁気抵抗効果素子並びに磁気デバイスを提供する。【解決手段】 基板2と基板上に形成されるCo2 Fex Cr1-x Al薄膜3とを備え、Co2 Fex Cr1-x Al薄膜3はL21 ,B2,A2構造の何れか一つの構造を有し、かつ0≦x≦1である。室温において、強磁性を示し大きなスピン分極率が得られる。基板2とCo2 Fex Cr1-x Al薄膜3の間にはバッファー層4が挿入されてもよい。この磁性薄膜を用いたトンネル磁気抵抗効果素子及び巨大磁気抵抗効果素子は、室温において、低磁界で大きなTMRとGMRが得られる。さらに、これらの磁気抵抗効果素子を用いた磁気デバイス、磁気ヘッド、磁気記録装置を提供する。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
基板と該基板上に形成されるCo2 Fex Cr1-x Al薄膜と、を備え、 上記Co2 Fex Cr1-x Al薄膜はL21 ,B2,A2構造の何れか一つの構造を有し、かつ、0≦x≦1であることを特徴とする磁性薄膜。
IPC (4件)：
H01L43/08 ,  G11B5/39 ,  H01F10/16 ,  H01F10/32
FI (5件)：
H01L43/08 M ,  H01L43/08 Z ,  G11B5/39 ,  H01F10/16 ,  H01F10/32
Fターム (7件)：
5D034BA02 ,  5D034BA05 ,  5E049AA04 ,  5E049BA12 ,  5E049BA16 ,  5E049DB04 ,  5E049DB12
引用特許：
審査官引用 (3件)

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