特許
J-GLOBAL ID：200903032872034514

キャパシタ及びその製造方法

発明者：
鄭 東鎭

鄭 東鎭 について


出願人/特許権者：
三星電子株式会社

三星電子株式会社 について


代理人 (1件)： 志賀 正武 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-192320
公開番号（公開出願番号）：特開2000-036571
出願日： 1999年07月06日
公開日（公表日）： 2000年02月02日
要約：
【要約】【課題】 強誘電体物質の結晶性を向上させることにより、向上された性能を発揮できる強誘電体キャパシタ及びその製造方法を提供する。【解決手段】 本発明は、キャパシタ及びその製造方法に関するものであり、半導体基板100上に形成された第1絶縁膜106上にキャパシタ下部電極110、上部にZr成分より相対的にTi成分をより多く含む多層誘電膜112,113、そしてキャパシタ上部電極114が順に形成されてキャパシタが形成される。そして、キャパシタを包むようにその上に、キャパシタを構成する物質が拡散されることを防止する物質層116が形成される。このようなキャパシタ及びその製造方法により、キャパシタを構成する強誘電体膜の各部位で、Zr成分とTi成分の濃度比を均一に分布させることができ強誘電体の結晶性を向上させることができる。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に形成された第1絶縁膜上に、キャパシタ下部電極、上部領域にZr成分より相対的にTi成分をより多く含む多層誘電膜、及びキャパシタ上部電極を順に形成してキャパシタを形成する段階と、前記キャパシタを構成する物質が拡散されることを防止する物質層を、前記キャパシタを包むように該キャパシタ上に形成する段階と、を含むことを特徴とするキャパシタの製造方法。
IPC (8件)：
H01L 27/10 451 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01L 27/108 ,  H01L 21/8242 ,  H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792
FI (5件)：
H01L 27/10 451 ,  H01L 27/04 C ,  H01L 27/10 621 Z ,  H01L 27/10 651 ,  H01L 29/78 371
引用特許：
審査官引用 (4件)
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